[发明专利]一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件

权利要求书

1.一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱，在深N阱中设置深P阱，N阱，N型横向变掺杂顶层区和P型横向变掺杂顶层区，N型横向变掺杂顶层区设置在P型横向变掺杂顶层区之上，在N型横向变掺杂顶层区和P型横向变掺杂顶层区中，由靠近源端到靠近漏端，掺杂浓度逐渐减小；在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面。

2.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，器件表面采用二氧化硅层隔离。

3.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，深N阱注入磷离子，掺杂剂量为5×10¹²cm^-2-7×10¹²cm^-2，注入能量为70Kev-90Kev，退火时间为1000min-2400min。

4.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，P型横向变掺杂顶层区注入硼离子，掺杂浓度为3×10¹²cm^-2-5×10¹²cm^-2，注入能量为1000Kev-1200Kev。

5.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，N型横向变掺杂顶层区注入磷离子，掺杂浓度为3×10¹²cm^-2-5×10¹²cm^-2，注入能量为400Kev-600Kev。

6.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，P型横向变掺杂顶层区结深2μm-4μm，N型横向变掺杂顶层区结深1μm-3μm。

7.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，采用光刻掩膜板控制杂质注入窗口的大小和密度，以实现P型横向变掺杂顶层区和N型横向变掺杂顶层区的设置。

8.根据权利要求7所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，光刻掩膜板上设置矩阵形式排列的圆孔，数量为15个-25个，直径为1μm-7um，进行使用时在靠近源端一侧设置大直径的圆孔，在靠近漏端一侧设置小直径的圆孔。