[发明专利]一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺

权利要求书

1.一种复合介电钝化层结构太阳电池的制备工艺，其特征在于：

准备P型硅衬底(4)；

在P型硅衬底(4)的正面依次沉积N型发射结区(9)、氧化硅膜(3)、较高n值氮化硅或氮氧化硅膜(12)、和低n值氮化硅膜(1)；背面及周边依次沉积氧化硅膜(3)、氧化铝膜(2)和低n值氮化硅膜(1)，形成全表面叠层复合介电钝化膜层；

在上述叠层镀膜的P型硅衬底(4)正面激光掺杂形成N++SE重掺区(10)，并匹配印刷穿透复合介电钝化膜层的Ag正电极(6)、背面局部开窗进行电极导出。

2.根据权利要求1所述的一种复合介电钝化层结构太阳电池的制备工艺，其特征在于：在P型硅衬底(4)的正、背面及周边依次沉积多层全表面复合介电钝化膜层，还具体包括：

氧化退火氧化硅沉积：采用干氧热氧化、臭氧氧化、N₂0氧化或硝酸气氧化中的任意一种氧化工艺，在P型硅衬底(4)的正面、背面以及周边生成一层全表面氧化硅膜(3)，退火过程中通入氧气在P型硅衬底(4)表面全覆盖生长形成1.5-8nm的全表面氧化硅膜(3)，其折射率n值控制在1.4-1.65；

氧化铝沉积：采用ALD、PECVD、CVD淀积形成或固体靶材经PVD形成中的任意一种形成工艺，在P型硅衬底(4)的正面、背面以及周边生成一层3-30nm厚度的全表面氧化铝膜(2)，其折射率n值控制在1.58-1.76、生成时间为25-35min，绕射到正面的氧化铝膜(2)经湿法化学溶液洗去；

正面的氧化铝膜(2)采用在线滚轮槽式设备单面去除，用5％-20％浓度的稀HCl进行酸洗，去除氧化硅膜(3)正表面生成的氧化铝膜(2)，再用DI水清洗表面残留酸液，并风刀吹干；

氮化硅沉积：采用管式PECVD工艺，在P型硅衬底(4)的正面先淀积较高n值的氮化硅或氮氧化硅膜(12)，再在P型硅衬底(4)的正面、背面以及周边生成一层全表面覆盖的低n值氮化硅膜(1)，管式PECVD工艺的温度为360-480℃，注入氨气和硅烷，淀积氮氧化硅膜时一并加入笑气，并施加一个射频电场；

设定正面的较高n值氮化硅或氮氧化硅膜(12)折射率n值控制在2.06-2.38，膜厚控制在8-60nm；

设定正面的低n值氮化硅膜(1)折射率n值控制在1.86-2.2，膜厚控制在12-72nm；

设定背面以及周边全表面覆盖的低n值氮化硅膜(1)折射率n值控制在1.86-2.36，膜厚控制在90-200nm；

设定正面的较高n值氮化硅或氮氧化硅膜(12)和正面的低n值氮化硅膜(1)采用一次性镀膜，淀积氮氧化硅膜时先加入笑气后关闭笑气；

设定正、背面的低n值氮化硅膜(1)采用分次镀膜，分次镀膜顺序为先镀正面后镀背面或先镀背面后镀正面，分次过程中需破真空取片后翻面。

3.根据权利要求1所述的一种复合介电钝化层结构太阳电池的制备工艺，其特征在于：准备P型硅衬底(4)，具体包括：

S1、去损伤层、制绒：对P型硅衬底(4)进行清洗和制绒，去除P型硅衬底(4)表面的损伤层3-5μm，同时在P型硅衬底(4)正表面制成绒面；

S2、扩散制PN结：在P型硅衬底(4)表面淀积掺杂源并进行热扩散制备P-N结区，所述掺杂源为三氯氧磷和氧气，加热时间为30-60分钟；

S3、激光SE掺杂：使用波长为532nm的激光辐照在扩散后的P型硅衬底(4)上，形成局布重掺杂区域，N++SE重掺区(10)的区域面积占比为4.5％-8.5％；

S4、刻蚀及背面抛光：对P型硅衬底(4)依次进行刻蚀、清洗和背面抛光处理，背面抛光厚度3-8um。