[发明专利]垂直型存储器装置

权利要求书

1.一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：

多个栅电极层，彼此分隔开并堆叠在基底上，并且在第一方向上以不同长度延伸且形成阶梯结构；

第一层间绝缘层，覆盖所述多个栅电极层的所述阶梯结构；以及

多个栅极接触插塞，贯穿所述第一层间绝缘层并且分别接触所述多个栅电极层，

其中，所述多个栅电极层包括与所述基底相邻设置的下栅电极层和设置在所述下栅电极层上的上栅电极层，使得所述下栅电极层位于所述基底与所述上栅电极层之间；

其中，所述多个栅极接触插塞包括连接到所述下栅电极层的下栅极接触插塞和连接到所述上栅电极层的上栅极接触插塞，并且

其中，所述上栅极接触插塞具有设置在比所述下栅极接触插塞的顶表面的高度高的高度处的最顶部部分。

2.根据权利要求1所述的垂直型存储器装置，其中：

所述下栅极接触插塞均由连续的材料整体地形成以从相应的下栅电极层延伸到所述第一层间绝缘层的顶表面上方的高度；并且

所述上栅极接触插塞均由连续的材料整体地形成以从相应的上栅电极层延伸到所述第一层间绝缘层的顶表面上方的高度。

3.根据权利要求2所述的垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置还包括：

多个接触柱，分别设置在所述下栅极接触插塞上，

其中，所述上栅极接触插塞的所述最顶部部分设置在与所述多个接触柱的最顶部部分的高度相同的高度处。

4.根据权利要求3所述的垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置还包括：

第一金属布线，分别设置在所述上栅极接触插塞上并且直接连接到所述上栅极接触插塞；以及

第二金属布线，分别设置在所述多个接触柱上并且直接连接到所述多个接触柱。

5.根据权利要求4所述的垂直型存储器装置，其中：所述第一金属布线分别与所述上栅极接触插塞集成。

6.根据权利要求2所述的垂直型存储器装置，其中：形成所述阶梯结构的所述多个栅电极层具有端部，所述端部包括垫区域，所述垫区域的厚度大于所述多个栅电极层的其它区域的厚度，所述多个栅极接触插塞接触所述垫区域。

7.根据权利要求2所述的垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置还包括：

下布线结构，设置在所述基底下方；以及

贯通插塞，贯穿所述多个栅电极层并且接触所述下布线结构，

其中，所述上栅极接触插塞的所述最顶部部分设置在比所述贯通插塞的顶表面的高度高的高度处。

8.根据权利要求2所述的垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置还包括：

多个沟道结构，贯穿所述多个栅电极层；以及

多个虚设结构，贯穿所述多个栅电极层中的至少一个，并且与所述多个栅极接触插塞相邻设置。

9.根据权利要求8所述的垂直型存储器装置，其中：所述多个虚设结构具有与所述多个沟道结构的结构相同的结构，并且电连接到所述基底。

10.根据权利要求8所述的垂直型存储器装置，其中：所述多个沟道结构具有与所述多个虚设结构的结构不同的结构，所述多个沟道结构电连接到所述基底，所述多个虚设结构与所述基底绝缘。