[发明专利]清洁晶圆的方法以及系统

权利要求书

1.一种清洁晶圆的方法，包括：

围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴，旋转该晶圆；

沿着一线施加一第一液流，且该线从相邻于该晶圆的该中心的该晶圆上的一初始点开始，通过该晶圆的该中心，并在该晶圆的一边缘结束；

施加一第二液流到从该初始点开始并到一边界点结束的该线的内侧三分之一处；

施加一第三液流到从该边界点开始的该线的中间三分之一处；

施加一第四液流到结束于该晶圆的该边缘的该线的外侧三分之一处；以及

从该初始点开始沿着该线施加一气流并在该晶圆的该边缘结束，其中施加该第二液流的时间较施加该第四液流的时间短。

2.如权利要求1所述的清洁晶圆的方法，还包括：

从该初始点开始沿着该线施加一第五液流并在该晶圆的该边缘结束。

3.如权利要求2所述的清洁晶圆的方法，其中该第一液流以一第一角度施加，且该第一角度与该晶圆的一表面呈九十度以下，而该第二液流以一第二角度施加，且该第二角度与该第一角度不同。

4.如权利要求3所述的清洁晶圆的方法，其中该第三液流以一第三角度施加，且该第三角度与该第二角度不同。

5.如权利要求3所述的清洁晶圆的方法，其中该第四液流以一第四角度施加，且该第四角度与该第一角度不同。

6.如权利要求3所述的清洁晶圆的方法，其中该第五液流以一第五角度施加，且该第五角度与该第一角度不同。

7.如权利要求3所述的清洁晶圆的方法，其中该气流以一第六角度施加，且该第六角度与该第一角度相同。

8.如权利要求2所述的清洁晶圆的方法，其中该第一液流以及该第四液流在一第一持续时间被施加。

9.如权利要求8所述的清洁晶圆的方法，其中该第二液流、该第三液流以及该第五液流在一第二持续时间被施加，且该第二持续时间较该第一持续时间短。

10.一种清洁晶圆的方法，包括：

围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴，旋转该晶圆；

沿着一线施加一第一液流，该线从相邻于该晶圆的该中心的该晶圆上的一初始点开始，通过该晶圆的该中心，并在该晶圆的一边缘结束；

从相邻于该初始点的一偏移点开始沿着该线施加一第二液流并在该晶圆的该边缘结束，其中该第一液流以及该第二液流以一第一角度同时被施加，且该第一角度与该晶圆的一表面呈九十度以下；

施加一第三液流到从该初始点开始并到一边界点结束的该线的内侧三分之一处；

施加一第四液流到从该边界点开始的该线的中间三分之一处；

施加一第五液流到结束于该晶圆的该边缘的该线的外侧三分之一处；以及

从该初始点开始沿着该线施加一气流并在该晶圆的该边缘结束，其中该气流以与该晶圆的该表面呈该第一角度的方式施加，其中施加该第三液流的时间较施加该第五液流的时间短。

11.如权利要求10所述的清洁晶圆的方法，还包括：

当施加该第一液流以及该第二液流时，以一第一速度旋转该晶圆；以及

当施加该气流时，以一第二速度旋转该晶圆，且该第二速度较该第一速度快。

12.如权利要求10所述的清洁晶圆的方法，还包括沿着该线多次地施加该气流。

13.如权利要求10所述的清洁晶圆的方法，其中施加该第一液流的期间较施加该气流的期间长。

14.如权利要求10所述的清洁晶圆的方法，还包括沿着从该初始点开始到该晶圆的该边缘结束的该线施加一第六液流，其中该第六液流以一第二角度施加，且该第二角度与该第一角度不同。