[发明专利]清洁晶圆的方法以及系统

说明书

本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法及系统。一种清洁晶圆的方法，包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，且线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。施加一第二液流到从初始点开始并到一边界点结束的线的内侧三分之一处。施加一第三液流到从边界点开始的线的中间三分之一处。施加一第四液流到结束于晶圆的边缘的线的外侧三分之一处。从初始点开始沿着线施加一第五液流并在晶圆的边缘结束。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束。

技术领域

本公开涉及一种清洁晶圆的方法以及系统。

背景技术

集成电路形成在晶圆或半导体基板上。集成电路的形成可包括许多制程步骤，例如：各种层的沉积、蚀刻以及烘烤。集成电路可分隔成单独的晶粒，且晶粒被封装并附接至电路板。

在产生集成电路的各种制程步骤期间，在晶圆的表面上形成各种表面。而且，在制程期间，制造物(artifacts)可能沿着晶圆的表面沉积。因此，可能需要清洁晶圆的这些制造物，以增加晶圆的产量。

清洁以及干燥晶圆的一种方法是旋转清洁。旋转清洁涉及将液体清洁溶液分配到晶圆上，并旋转晶圆以移除溶液，而后干燥晶圆。液体清洁溶液通常地从静止的喷嘴以正交于晶圆表面的流动施加。然而，这样的旋转清洁可能不足以移除沉积在晶圆上的所有不想要的制造物。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法。一种清洁晶圆的方法，包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，且线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。施加一第二液流到从初始点开始并到一边界点结束的线的内侧三分之一处。施加一第三液流到从边界点开始的线的中间三分之一处。施加一第四液流到结束于晶圆的边缘的线的外侧三分之一处。从初始点开始沿着线施加一第五液流并在晶圆的边缘结束。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束。

本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法。方法包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。从相邻于初始点的一偏移点开始沿着线施加一第二液流并在晶圆的边缘结束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同时被施加，且第一角度与晶圆的一表面呈九十度以下。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束，其中气流以与晶圆的表面呈第一角度的方式施加。

本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的系统，系统包括一晶圆、一吸座、一第一喷嘴、一第二喷嘴以及一第三喷嘴。吸座是配置以围绕在晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。第一喷嘴是配置以沿着一线施加一第一液流，线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。第二喷嘴是配置以从相邻于初始点的一偏移点开始沿着线施加一第二液流，并在晶圆的边缘结束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同时被施加，且第一角度与晶圆的一表面呈九十度以下。第三喷嘴是配置以沿着从初始点开始到晶圆的边缘的线施加一气流，其中气流以与晶圆的表面呈第一角度的方式施加。

附图说明

图1A是根据一些实施例的具有可变角度分配喷嘴的清洁腔室的示意图。

图1B是根据一些实施例的具有设定角度的分配喷嘴的清洁腔室的示意图。

图2是根据一些实施例的自动化晶圆清洁系统的各种功能模块的方框图。

图3是根据一些实施例的自动化晶圆清洁制程的流程图。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E以及图4F是根据一些实施例示出图3的流程图的自动化晶圆清洁制程的步骤。

附图标记说明：

100、150、202～清洁腔室

101、405～晶圆