[发明专利]5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺

权利要求书

1.5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤，

S1，准备一块厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材以及两块厚度为50微米的单面覆铜改性PI基材；

S2，在所述双面覆铜改性PI基材的预设位置上钻微通孔；

S3，对所述微通孔依次进行黑孔、镀铜填孔处理；

S4，在所述双面覆铜改性PI基材的铜面上制作内层线路；

S5，将双面覆铜改性PI基材与两块单面覆铜改性PI基材胶粘压合，得到叠构体，其中，所述双面覆铜改性PI基材位于两块单面覆铜改性PI基材之间；

S6，对单面覆铜改性PI基材进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔区域的铜质，以使单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔的基材区域外露；

S7，在单面覆铜改性PI基材的外露基材区域钻盲孔，所述盲孔连接所述双面覆铜改性PI基材的铜面；

S8，对单面覆铜改性PI基材上的所述盲孔进行镀铜填孔处理。

2.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S1之后还包括步骤S11，对所述双面覆铜改性PI基材的铜面进行减铜处理，减铜后的铜面的厚度为6±1微米。

3.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S2中，采用激光灼烧的方式在双面覆铜改性PI基材上钻微通孔。

4.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S2中，所述微通孔的孔径为40±10微米。

5.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S3中，镀铜填孔处理后，所述双面覆铜改性PI基材的铜面的厚度小于或等于20微米。

6.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S5之前还包括步骤S51，对所述双面覆铜改性PI基材的板面和/或单面覆铜改性PI基材的板面进行微蚀量小于或等于1微米的棕化处理。

7.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S6中，所述选择性蚀刻的具体处理过程依次包括化学清洗、贴干膜、曝光、显影、蚀刻及退膜。

8.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S7之后还包括步骤S71，对叠构体的外露孔位进行清洗以去除孔位内的胶渣。

9.根据权利要求8所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S71之前还包括步骤S70，在所述叠构体上钻长通孔。

10.根据权利要求1所述的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，其特征在于：步骤S7中，所述盲孔呈锥形，所述盲孔的大径为120微米，所述盲孔的小径为100微米。