[发明专利]5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺

说明书

本发明公开了5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，包括如下步骤，在双面覆铜改性PI基材的预设位置上钻微通孔；S3，对微通孔依次进行黑孔、镀铜填孔处理；S4，在双面覆铜改性PI基材的铜面上制作内层线路；S5，将双面覆铜改性PI基材与两块单面覆铜改性PI基材胶粘压合，得到叠构体；S6，对单面覆铜改性PI基材进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材对应于微通孔区域的铜质；S7，在单面覆铜改性PI基材的外露基材区域钻盲孔；S8，对单面覆铜改性PI基材上的盲孔进行镀铜填孔处理。本发明提供的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，极大的降低盲孔的加工和盲孔孔化难度，保证了大批量制作可行性。

技术领域

本发明涉及电路板技术领域，尤其涉及5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺。

背景技术

5G的商用对高频高速电路板的需求剧增，在5G高频高速四层挠性电路板产品上第二层与第四层间需要导通，5G高频高速四层挠性电路板的基材需采用改性PI(聚酰亚胺膜)材料，第二层和第四层间介质层总厚度为181微米(外层PI厚50微米、粘接胶厚50微米、内层基材PI厚75微米，内层导通铜厚6微米)。

目前业界激光钻盲孔的钻孔深度很难达到181微米，以致带有此类盲孔的5G高频高速四层挠性电路板产品无量产的可行性，解决此类产品的盲孔加工和孔化制作技术瓶颈已是迫在眉睫！

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够实现大批量生产的5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：5G高频高速四层挠性电路板的制作工艺，包括如下步骤，

S1，准备一块厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材以及两块厚度为50微米的单面覆铜改性PI基材；

S2，在所述双面覆铜改性PI基材的预设位置上钻微通孔；

S3，对所述微通孔依次进行黑孔、镀铜填孔处理；

S4，在所述双面覆铜改性PI基材的铜面上制作内层线路；

S5，将双面覆铜改性PI基材与两块单面覆铜改性PI基材胶粘压合，得到叠构体，其中，所述双面覆铜改性PI基材位于两块单面覆铜改性PI基材之间；

S6，对单面覆铜改性PI基材进行选择性蚀刻，去除单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔区域的铜质，以使单面覆铜改性PI基材对应于所述微通孔的基材区域外露；

S7，在单面覆铜改性PI基材的外露基材区域钻盲孔，所述盲孔连接所述双面覆铜改性PI基材的铜面；

S8，对单面覆铜改性PI基材上的所述盲孔进行镀铜填孔处理。

本发明的有益效果在于：先在厚度为75微米的双面覆铜改性PI基材上钻微通孔，然后应用填孔电镀药水对微通孔进行填平，再在微通孔上完成一次积层盲孔，单面覆铜改性PI基材加纯胶总厚度为100微米(单面覆铜改性PI基材厚度为50微米、用于连接单面覆铜改性PI基材与双面覆铜改性PI基材的纯胶的厚度亦为50微米)，此深度(即100微米)在正常的盲孔加工和盲孔孔化工艺能力以内，实现了5G高频高速四层挠性电路板第二层和第四层层间互联导通，换言之，本发明通过先制作微通孔分解掉双面覆铜改性PI基材75微米介质层深度和6微米的内层线路铜层厚度，使深度超出工艺能力的盲孔降低到常规盲孔深度能力以内，极大的降低盲孔的加工和盲孔孔化难度，保证了大批量制作可行性，解决了5G产品导通孔高纵横比的技术瓶颈。

附图说明

图1为本发明实施例一中的双面覆铜改性PI基材的结构示意图；

图2为本发明实施例一中的双面覆铜改性PI基材钻微通孔后的结构示意图；

图3为本发明实施例一中的双面覆铜改性PI基材镀铜填孔后的结构示意图；