[发明专利]介质波导谐振器及其端口耦合量调节方法与滤波器

权利要求书

1.一种介质波导谐振器，其特征在于，包括：

介质块，所述介质块的外表面铺设有第一金属层及包围于所述第一金属层外围的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层之间设有露出所述介质块的镂空区，所述镂空区绕所述第一金属层的外围周向设置，所述第一金属层包括第一覆盖层、第二覆盖层及连接所述第一覆盖层与所述第二覆盖层的连接层，所述第一覆盖层覆盖于所述介质块的底面，所述第二覆盖层覆盖于所述介质块的侧面；所述连接层的一部分位于所述介质块的底面，所述连接层的另一部分位于所述介质块的侧面；所述第二覆盖层用于连接外部端口。

2.根据权利要求1所述的介质波导谐振器，其特征在于，所述介质块的顶面设有谐振孔，所述第二金属层的部分完全覆盖于所述谐振孔的内壁。

3.根据权利要求2所述的介质波导谐振器，其特征在于，所述介质块的底面设有第一耦合孔，所述第一耦合孔为盲孔或与所述谐振孔相连通的通孔，所述第一覆盖层覆盖于所述第一耦合孔的内壁。

4.根据权利要求3所述的介质波导谐振器，其特征在于，所述介质块的底面设有与所述第一耦合孔相连通的凹槽，所述连接层覆盖于所述凹槽的内壁。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的介质波导谐振器，其特征在于，所述介质块的侧面设有第二耦合孔，所述第二耦合孔为盲孔，所述第二覆盖层覆盖于所述第二耦合孔的内壁。

6.一种如权利要求1所述的介质波导谐振器的端口耦合量调节方法，其特征在于，包括如下步骤：其中，所述介质块的底面设有第一耦合孔，所述第一覆盖层覆盖于所述第一耦合孔的内壁；通过调整所述第一耦合孔的直径D1的大小来调节端口的耦合量强弱；和/或，通过调整所述第一耦合孔的深度H1的大小来调节端口的耦合量强弱；和/或，通过控制移除所述第一金属层的金属层量来调节端口的耦合量强弱。

7.一种如权利要求1所述的介质波导谐振器的端口耦合量调节方法，其特征在于，包括如下步骤：其中，所述介质块的底面设有第一耦合孔，所述第一覆盖层覆盖于所述第一耦合孔的内壁；所述介质块的底面设有与所述第一耦合孔相连通的凹槽，所述连接层覆盖于所述凹槽的内壁，通过调整所述凹槽的深度的大小来调节端口的耦合量强弱。

8.一种如权利要求1所述的介质波导谐振器的端口耦合量调节方法，其特征在于，包括如下步骤：所述介质块的侧面设有第二耦合孔，所述第二耦合孔为盲孔，所述第二覆盖层覆盖于所述第二耦合孔的内壁；通过调整所述第二耦合孔的直径D2的大小来调节端口的耦合量强弱；和/或，通过调整所述第二耦合孔的深度H2的大小来调节端口的耦合量强弱；和/或，通过控制移除所述第一金属层的金属层量来调节端口的耦合量强弱。

9.一种如权利要求1至5任意一项所述的介质波导谐振器的端口耦合量调节方法，其特征在于，包括如下步骤：

通过控制移除所述第一覆盖层的金属层量来调节端口的耦合量强弱；和/或，通过控制移除所述第二覆盖层的金属层量来调节端口的耦合量强弱；和/或，通过控制连接层的宽度大小来调节端口的耦合量强弱；和/或，通过控制镂空区的开口大小来调节端口的耦合量强弱。

10.一种滤波器，其特征在于，包括如权利要求1至5任意一项所述的介质波导谐振器。