[发明专利]OTP嵌入式存储器及其编程方法、读取方法

权利要求书

1.一种OTP嵌入式存储器，其特征在于，包括：

多条编程线、多条字线和多条位线，所述编程线与所述字线平行设置，且一条编程线与一条字线紧邻设置；所述字线、所述编程线和所述位线交叉绝缘设置，限定出多个存储单元；

所述多个存储单元组成存储单元阵列，所述存储单元阵列包括行和列，且每行和每列均包括至少两个所述存储单元；

其中，每个存储单元包括选通管和反熔丝；

所述选通管的控制端与一条字线相连，所述选通管的第一端与一条位线相连，所述选通管的第二端与所述反熔丝的第一端相连；

所述反熔丝的第二端浮空；

所述反熔丝的控制端与一条编程线相连，所述编程线为所述反熔丝提供击穿电压。

2.根据权利要求1所述的OTP嵌入式存储器，其特征在于，

位于相同列的存储单元的选通管的第一端与同一条位线相连；

位于相同行的存储单元的选通管的控制端与同一条字线相连；

位于相同行的存储单元的反熔丝的控制端与同一条编程线相连。

3.根据权利要求1所述的OTP嵌入式存储器，其特征在于，所述选通管为NMOS管或PMOS管。

4.一种OTP嵌入式存储器的编程方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任意一项所述的OTP嵌入式存储器，所述OTP嵌入式存储器包括编程存储单元和非编程存储单元；

所述OTP嵌入式存储器的编程方法包括：

为所述编程存储单元的字线提供编程电压；

为所述编程存储单元的位线提供0V电压；

为所述编程存储单元的编程线提供所述编程电压；

为与所述编程存储单元非同行的非编程存储单元的字线提供0V电压；

为与所述编程存储单元非同列的非编程存储单元的位线提供编程电压；

为与所述编程存储单元非同行的非编程存储单元的编程线提供第一编程电压Vpl1，所述第一编程电压大于0V，且小于所述编程电压。

5.根据权利要求4所述的OTP嵌入式存储器的编程方法，其特征在于，所述第一编程电压为所述编程电压的二分之一。

6.一种OTP嵌入式存储器的读取方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任意一项所述的OTP嵌入式存储器，所述OTP嵌入式存储器包括读取存储单元和非读取存储单元；

所述OTP嵌入式存储器的读取方法包括：

为所述读取存储单元的字线提供大于或等于开启电压的电压；

为所述读取存储单元的位线提供0V电压；

为所述读取存储单元的编程线提供读取电压；

为与所述读取存储单元非同行的非读取存储单元的字线提供0V电压；

将与所述读取存储单元非同列的非读取存储单元的位线浮空或者提供与所述读取存储单元的编程线相同的电压；

为与所述读取存储单元非同行的非读取存储单元的编程线提供0V电压。