[发明专利]OTP嵌入式存储器及其编程方法、读取方法

说明书

本申请提供一种OTP存储器及其编程方法、读取方法，所述OTP嵌入式存储器，除了包括多条字线和多条位线之外，还包括多条编程线，编程线连接每个存储单元中的反熔丝的控制端，为反熔丝提供控制电压，而选通管的控制端由字线提供控制电压，从而使得反熔丝的控制端与选通管的控制端的控制电压分开，选通管的控制电压能够不受反熔丝的控制电压限制，进而能够降低选通管的控制电压，因此，选通管的沟道长度能够进一步减小，使得OTP嵌入式存储器的存储单元面积减小。或者，不改变选通管沟道长度的基础上，单独控制反熔丝的控制电压，能够相对缩小选通管的沟道宽度，同样能够减小OTP嵌入式存储器的存储单元的面积。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种OTP嵌入式存储器及其编程方法、读取方法。

背景技术

一次性可编程(OTP，One Time Programmable)嵌入式存储器的编程和读取方式对一次性可编程嵌入式存储器的性能会产生很大影响，不同的设置方式会对一次性可编程嵌入式存储器的尺寸、良率和可靠性产生不同的效果。

系统级芯片(SOC)设计对一次性可编程嵌入式存储器存在巨大需求。随着工艺平台先进性的不断提升，理论上传统的双管共用字线一次性可编程嵌入式存储单元(2T OTPcell)的尺寸应该会随着工艺平台的进步而持续缩小。

但实际情况中，OTP嵌入式存储单元尺寸难以随着工艺平台的进步而持续缩小。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种OTP存储器及其编程方法、读取方法，以解决现有技术中OTP嵌入式存储器的存储单元尺寸难以随工艺平台的进步而持续缩小的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种OTP嵌入式存储器，包括：

多条字线和多条位线，所述多条字线和所述多条位线交叉绝缘设置，限定出多个存储单元；

所述多个存储单元组成存储单元阵列，所述存储单元阵列包括行和列，且每行和每列均包括至少两个所述存储单元；

多条编程线；

其中，每个存储单元包括选通管和反熔丝；

所述选通管的控制端与一条字线相连，所述选通管的第一端与一条位线相连，所述选通管的第二端与所述反熔丝的第一端相连；

所述反熔丝的第二端浮空；

所述反熔丝的控制端与一条编程线相连，所述编程线为所述反熔丝提供击穿电压。

优选地，位于相同列的存储单元的选通管的第一端与同一条位线相连；

位于相同行的存储单元的选通管的控制端与同一条字线相连；

位于相同行的存储单元的反熔丝的控制端与同一条编程线相连。

优选地，所述编程线与所述字线平行设置。

优选地，所述选通管为NMOS管或PMOS管。

本发明还提供一种OTP嵌入式存储器的编程方法，应用于上面任意一项所述的OTP嵌入式存储器，所述OTP嵌入式存储器包括编程存储单元和非编程存储单元；

所述OTP嵌入式存储器的编程方法包括：

为所述编程存储单元的字线提供第一字线电压，所述第一字线电压大于或等于所述选通管的开启电压，且小于编程电压；

为所述编程存储单元的位线提供0V电压；

为所述编程存储单元的编程线提供所述编程电压；

为与所述编程存储单元非同行的非编程存储单元的字线提供0V电压；