[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

基底，包括彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；

器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；以及

埋入字线结构，穿过第一有源区域与第二有源区域之间的低介电区域，

其中，埋入字线结构包括位于栅极沟槽中的栅电极以及位于栅电极的在低介电区域的外部的部分与栅极沟槽之间的栅极绝缘层，并且

其中，气隙设置在栅电极的在低介电区域内的部分与栅极沟槽之间。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，栅极绝缘层填充位于栅电极的在低介电区域内的部分的下部分与栅极沟槽之间的空间。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，气隙中的至少一部分设置在器件隔离膜与栅电极之间。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，气隙中的至少一部分设置在第一有源区域与栅电极之间或第二有源区域与栅电极之间。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括位于栅电极上的栅极覆盖层。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，栅极覆盖层的在低介电区域内的部分由于气隙而与栅极沟槽隔开。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，栅极覆盖层的在低介电区域内的部分接触栅极沟槽。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，栅极覆盖层的位于低介电区域外部的部分由于栅极绝缘层而与栅极沟槽隔开。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一有源区域和第二有源区域中的每个具有在第一方向上的主轴，以及

其中，第一有源区域和第二有源区域在第一方向上彼此隔开，并且低介电区域位于第一有源区域与第二有源区域之间。

10.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

基底，包括彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；

器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；

第一埋入字线结构，穿过第一有源区域；

第二埋入字线结构，穿过在第一有源区域与第二有源区域之间的第一低介电区域；以及

第三埋入字线结构，穿过第二有源区域，

其中，第一埋入字线结构包括第一栅电极和第一栅极绝缘层，第一栅电极位于第一栅极沟槽中，第一栅极绝缘层位于第一栅电极与第一栅极沟槽之间，

其中，第二埋入字线结构包括第二栅电极、第二栅极绝缘层和第一低介电层，第二栅电极位于第二栅极沟槽中，第二栅极绝缘层位于第二栅电极与第二栅极沟槽之间，第一低介电层位于第二栅电极的在第一低介电区域内的部分与第二栅极沟槽之间，

其中，第三埋入字线结构包括第三栅电极和第三栅极绝缘层，第三栅电极位于第三栅极沟槽中，第三栅极绝缘层位于第三栅电极与第三栅极沟槽之间，以及

其中，第一低介电层的介电常数比第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第三栅极绝缘层中的每个的介电常数小。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，第二栅极绝缘层填充位于第二栅电极的在第一低介电区域内的部分的下部分与第二栅极沟槽之间的空间。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，从基底的下表面到第一低介电层的下端的高度比从基底的下表面到第一有源区域内的第一栅极绝缘层的下端的高度低，并且比从基底的下表面到第二有源区域内的第三栅极绝缘层的下端的高度低。

13.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，第一低介电层接触第一有源区域和第二有源区域中的至少一个。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，第一低介电层接触器件隔离膜。