[发明专利]存储器装置

说明书

公开了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底，包括彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；以及埋入字线结构，穿过第一有源区域与第二有源区域之间的低介电区域，其中，埋入字线结构包括栅电极和栅极绝缘层，栅电极位于栅极沟槽中，栅极绝缘层位于栅电极的在低介电区域的外部的部分与栅极沟槽之间，并且其中，气隙设置在栅电极的在低介电区域内的部分与栅极沟槽之间。

本申请要求于2018年12月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0166412号韩国专利申请的权益，该申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例涉及一种存储器装置，更具体地，涉及一种包括埋入字线结构的存储器装置。

背景技术

随着存储器装置的集成度的增加，存储器装置的电特性可能劣化。例如，存储器装置可以包括被设计为连接到第一存储器单元的第一埋入栅极结构和被设计为连接到第二存储器单元的第二埋入栅极结构。理想地，第二埋入栅极结构不应该影响第一存储器单元。然而，由于存储器装置的集成度的增加，第二埋入栅极结构可能影响第一存储器单元。结果，存储器装置的电特性可能劣化。

发明内容

发明构思提供了一种具有改善的电特性的存储器装置。

根据发明构思的一个方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：基底，包括彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；以及埋入字线结构，穿过在第一有源区域与第二有源区域之间的低介电区域，其中，埋入字线结构包括在栅极沟槽中的栅电极和在栅电极的在低介电区域外部的部分与栅极沟槽之间的栅极绝缘层，并且其中，气隙设置在栅电极的在低介电区域内的部分与栅极沟槽之间。

根据发明构思的另一个方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：基底，包括彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；第一埋入字线结构，穿过第一有源区域；第二埋入字线结构，穿过在第一有源区域与第二有源区域之间的第一低介电区域；以及第三埋入字线结构，穿过第二有源区域，其中，第一埋入字线结构包括位于第一栅极沟槽中的第一栅电极和在第一栅电极与第一栅极沟槽之间的第一栅极绝缘层，其中，第二埋入字线结构包括位于第二栅极沟槽中的第二栅电极、在第二栅电极与第二栅极沟槽之间的第二栅极绝缘层以及在第二栅电极的在第一低介电区域内的部分与第二栅极沟槽之间的第一低介电层或气隙，其中，第三埋入字线结构包括位于第三栅极沟槽中的第三栅电极和在第三栅电极与第三栅极沟槽之间的第三栅极绝缘层，其中，第一低介电层的介电常数比第一栅极绝缘层的介电常数、第二栅极绝缘层的介电常数和第三栅极绝缘层的介电常数小。

根据发明构思的另一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：基底，包括在第一方向上彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；第一埋入字线结构，穿过第一有源区域；第二埋入字线结构，穿过在第一有源区域与第二有源区域之间的第一低介电区域；以及第三埋入字线结构，穿过第二有源区域，其中，第一埋入字线结构包括位于第一栅极沟槽中的第一栅电极和在第一栅电极与第一栅极沟槽之间的第一栅极绝缘层，其中，第二埋入字线结构包括位于第二栅极沟槽中的第二栅电极和在第二栅电极的在第一低介电区域外部的部分与第二栅极沟槽之间的第二栅极绝缘层，其中，第三埋入字线结构包括位于第三栅极沟槽中的第三栅电极和在第三栅电极与第三栅极沟槽之间的第三栅极绝缘层，其中，第一气隙设置在第二栅电极的在第一低介电区域内的部分与第二栅极沟槽之间。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据实施例的存储器装置的平面图；