[发明专利]一种适用于非环路结构SAR ADC的自关断比较器

权利要求书

1. 一种适用于非环路结构SAR ADC的自关断比较器，包括预放大电路和锁存电路，其特征在于，还包括自关断信号产生电路，用于根据比较器的输出信号产生一个自关断时钟信号用以关闭预放大电路且保持锁存电路的数据锁存；所述自关断信号产生电路包括第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8，其中第七NMOS管MN7的栅极分别连接第七PMOS管MP7的栅极和锁存电路中N端输出缓冲器BufferN的输出端，第七NMOS管MN7的源极连接第八NMOS管MN8的漏极，第七NMOS管MN7的漏极分别连接第七PMOS管MP7的漏极、第八PMOS管MP8的漏极、预放大电路中第一PMOS管MP1的栅极和第二PMOS管MP2的栅极；第八NMOS管MN8的栅极分别连接第八PMOS管MP8的栅极、锁存电路中P端输出缓冲器BufferP的输出端，且第八NMOS管MN8的源极接地；第七PMOS管MP7的源极和第八PMOS管MP8的源极均连接电源；

其中，所述预放大电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3，其中第一NMOS管MN1的源极、第二NMOS管MN2的源极与第三NMOS管MN3的漏极相连，第三NMOS管MN3的栅极与时钟信号CLK相连，第三NMOS管MN3的源极接地；第一NMOS管MN1的漏极、第一PMOS管MP1的漏极与锁存电路中N端输出缓冲器BufferN的输入端相连，第二NMOS管MN2的漏极、第二PMOS管MP2的漏极与锁存电路中P端输出缓冲器BufferP的输入端相连，且第一NMOS管MN1的栅极连接输入信号Vin，第二NMOS管MN2的栅极连接输入信号Vip；第一PMOS管MP1的栅极与第二PMOS管MP2的栅极连接自关断信号产生电路中第八PMOS管MP8的漏极，且第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极均与电源相连；

其中，所述锁存电路包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、N端输出缓冲器BufferN和P端输出缓冲器BufferP，其中第四PMOS管MP4的漏极、第三PMOS管MP3的漏极、第五PMOS管MP5的栅极、第五NMOS管MN5的栅极、第四NMOS管MN4的漏极均与P端输出缓冲器BufferP的输入端相连，第三PMOS管MP3的栅极、第六PMOS管MP6的栅极与时钟信号CLK相连，且第三PMOS管MP3的源极、第四PMOS管MP4的源极、第五PMOS管MP5的源极、第六PMOS管MP6的源极均与电源相连；第四PMOS管MP4的栅极、第四NMOS管MN4的栅极、第五NMOS管MN5的漏极、第五PMOS管MP5的漏极、第六PMOS管MP6的漏极均与N端输出缓冲器BufferN的输入端相连；第四NMOS管MN4的源极、第五NMOS管MN5的源极与第六NMOS管MN6的漏极相连，且第六NMOS管MN6的源极接地；并且，由P端输出缓冲器BufferP的输出端得到输出信号Vop，由N端输出缓冲器BufferN的输出端得到输出信号Von。