[发明专利]一种锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法

权利要求书

1.一种锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)准备担体（support）：清洗并吹干担体，作为无机-有机杂化分离膜生长的支撑体；

(2)杂化多孔分离膜制备：采用分子层沉积技术，二乙基锌（Zn(CH₂CH₃)₂）为金属前驱体，对苯二酚（C₆H₆O₂）为有机前驱体，所述金属前驱体的源温为室温，所述有机前驱体的源温为150 ℃，载气和清洗气体为99.999%高纯氮气，沉积温度为170 ℃-300 ℃，沉积使用的脉冲循环为：0.1-2 s 金属前驱体脉冲、2-15 s清洗脉冲、5-25 s 有机前驱体脉冲、2-20 s清洗脉冲，沉积循环数大于35，即可得到锌基对苯二酚无机-有机杂化多孔分离膜。

2.根据权利要求1所述的锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，所述分子层沉积技术采用淋浴式（Shower head type）垂直式反应室，反应前驱体自上而下进入反应腔。

3.根据权利要求1所述的锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，所述担体为衬底或粉末担体。

4.根据权利要求3所述的锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为半导体衬底、导电衬底、绝缘衬底或聚合物衬底。

5.根据权利要求3所述的锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，所述粉末担体为半导体粉末、导电粉末、绝缘粉末或聚合物粉末。

6.根据权利要求4所述的锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为单抛硅片、双抛硅片、镀有二氧化硅的硅片、砷化镓、锗或碳化硅；所述导电衬底为铝、不锈钢、氮化钛、ITO或碳；所述绝缘衬底为普通玻璃片、石英玻璃片、氧化铝、氧化镁、氮化铝、氮化硼或氮化硅；所述聚合物衬底为PI、PEN、PET、聚四氟乙烯或环氧树脂。

7.根据权利要求5所述的锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，所述半导体粉末为硅粉末、锗粉末、砷化镓粉末、碳化硅粉末或硫化钼粉末；所述导电粉末为铝粉、碳粉、氮化钛粉、金粉、银粉或石墨烯粉末；所述绝缘粉末为玻璃砂、石英砂、氧化铝粉末、氧化镁粉末、氮化铝粉末、氮化硼粉末或氮化硅粉末；所述聚合物粉末为PI粉末、PEN粉末、PET粉末或聚四氟乙烯粉末。

8.根据权利要求1或3所述的锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，其特征在于，所述担体吹干采用高纯氮气枪吹干。