[发明专利]防电磁干扰基体及其制备方法与电子设备

权利要求书

1.防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

准备基材：提供基材，确定所述基材上需要提供电磁屏蔽的屏蔽区域；

喷镀金属层：向所述基材上的屏蔽区域上喷镀金属颗粒，使所述屏蔽区域上形成金属镀层；所述金属颗粒为铜颗粒、银颗粒、金颗粒、铜合金、银合金或金合金中的一种。

2.如权利要求1所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述准备基材步骤与所述喷镀金属层步骤之间还包括步骤：

粗化处理：对所述屏蔽区域进行粗化处理。

3.如权利要求2所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述粗化处理步骤中采用图像控制器辅助定位，并通过镭雕方式对所述屏蔽区域进行粗化。

4.如权利要求3所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述屏蔽区域上镭雕形成线槽的宽度范围为0.02-0.05mm，相邻两所述线槽间距离范围为0.02-0.05mm，所述线槽深度范围为0.01-0.03mm。

5.如权利要求1-4任一项所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述喷镀金属层步骤之后还包括步骤：

打磨抛光：对所述金属镀层进行打磨抛光处理，使所述金属镀层表面平整光洁。

6.如权利要求1-4任一项所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述喷镀金属层步骤之后还包括步骤：

涂覆防护涂层：在所述金属镀层表面涂覆绝缘保护层。

7.如权利要求6所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述绝缘保护层为绝缘树脂层、陶瓷涂层或绝缘油漆层。

8.如权利要求1-4任一项所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述金属镀层的厚度范围为0.06-0.15mm。

9.如权利要求1-4任一项所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述基材为金属基材、塑胶基材、玻璃基材、陶瓷基材中的一种；或者，所述基材为金属基材、塑胶基材、玻璃基材或陶瓷基材中任意两种或多种相互拼接成的基材。

10.如权利要求1-4任一项所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述喷镀金属层步骤中采用电弧喷镀设备喷镀，所述金属颗粒的射速为550-650m/s，所述喷镀设备的工作电压范围为30-38V。

11.如权利要求1-4任一项所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述金属颗粒大小范围为6-8μm。

12.如权利要求1-4任一项所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述准备基材步骤中还包括清洁所述屏蔽区域。

13.如权利要求12所述的防电磁干扰基体制备方法，其特征在于：所述准备基材步骤中采用占有酒精的无尘布擦拭所述屏蔽区域，以使所述屏蔽区域干净整洁。

14.防电磁干扰基体，其特征在于：由权利要求1-13任一项所述的防电磁干扰基体制备方法制作。

15.电子设备，其特征在于：包括如权利要求14所述的防电磁干扰基体。