[发明专利]半导体装置、存储器系统及半导体装置的操作方法有效
申请号: | 201910772383.7 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN111354401B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 李芸相 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 存储器 系统 操作方法 | ||
1.一种半导体装置,该半导体装置包括:
存储器串,所述存储器串包括多个存储器单元、多个选择晶体管以及联接在所述多个存储器单元与所述多个选择晶体管之间的一个或更多个虚设晶体管;
多条字线,所述多条字线分别联接至所述多个存储器单元;
一条或更多条虚设字线,所述一条或更多条虚设字线联接至所述一个或更多个虚设晶体管;以及
多条选择线,所述多条选择线分别联接至所述多个选择晶体管,
其中,当编程电压被施加到所述一条或更多条虚设字线当中的被选虚设字线时,第一虚设字线电压被施加到所述多条选择线当中的与所述一条或更多条虚设字线相邻的选择线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,第二虚设字线电压被施加到所述一条或更多条虚设字线当中的一条或更多条未选虚设字线。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述第一虚设字线电压的电平低于所述第二虚设字线电压的电平。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述第一虚设字线电压和所述第二虚设字线电压具有彼此不同的电压电平,并且施加到所述未选虚设字线和所述选择线的虚设字线电压随着越接近所述多条字线而增加。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,接地电压被施加到所述多条选择线当中的未施加所述第一虚设字线电压的其它选择线。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,当所述编程电压被施加到所述被选虚设字线时,通过电压被施加到所述多条字线。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第一虚设字线电压的电压电平比所述通过电压的电压电平低。
8.一种用于操作半导体装置的方法,该半导体装置包括多个存储器单元、多个选择晶体管以及联接在所述多个存储器单元和所述多个选择晶体管之间的多个虚设晶体管、分别联接至所述多个存储器单元的多条字线、分别联接至所述多个虚设晶体管的多条虚设字线以及分别联接至所述多个选择晶体管的多条选择线,该方法包括以下步骤:
将编程电压施加到所述多条虚设字线当中的被选虚设字线;以及
将第一虚设字线电压施加到所述多条选择线当中的与所述多条虚设字线相邻的选择线。
9.根据权利要求8所述的方法,该方法还包括以下步骤:将第二虚设字线电压施加到所述多条虚设字线当中的一条或更多条未选虚设字线。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一虚设字线电压的电平低于所述第二虚设字线电压的电平。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一虚设字线电压和所述第二虚设字线电压具有彼此不同的电压电平,并且施加到所述未选虚设字线和所述选择线的虚设字线电压随着越接近所述多条字线而增加。
12.根据权利要求8所述的方法,该方法还包括以下步骤:
将通过电压施加到分别与所述多个存储器单元联接的所述多条字线;以及
将接地电压施加到所述多条选择线当中的未施加所述第一虚设字线电压的其它选择线。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第一虚设字线电压的电压电平低于所述通过电压的电压电平。
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