[发明专利]半导体装置、存储器系统及半导体装置的操作方法

说明书

半导体装置、存储器系统及半导体装置的操作方法。一种半导体装置包括：存储器串，其包括多个存储器单元、多个选择晶体管以及联接在所述多个存储器单元与所述多个选择晶体管之间的一个或更多个虚设晶体管；一条或更多条虚设字线，其联接至所述一个或更多个虚设晶体管；以及多条选择线，其分别联接至所述多个选择晶体管。当编程电压被施加到所述一条或更多条虚设字线当中的被选虚设字线时，第一虚设字线电压可以被施加到所述多条选择线当中的与所述一条或更多条虚设字线相邻的选择线。

技术领域

本公开总体涉及电子装置，更具体地，涉及半导体装置、存储器系统及半导体装置的操作方法。

背景技术

半导体存储器系统是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)之类的半导体实现的储存装置。半导体存储器系统通常可以分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是当供电中断时所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器装置是即使在供电中断时也保持所存储数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存通常分为NOR型闪存和NAND型闪存。

发明内容

实施方式提供了每存储块容量增加的半导体装置、存储器系统及半导体装置的操作方法。

根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置，一种半导体装置，该半导体装置包括：存储器串，所述存储器串包括多个存储器单元、多个选择晶体管以及联接在所述多个存储器单元与所述多个选择晶体管之间的一个或更多个虚设晶体管；一条或更多条虚设字线，所述一条或更多条虚设字线联接至所述一个或更多个虚设晶体管；以及多条选择线，所述多条选择线分别联接至所述多个选择晶体管，其中，当编程电压被施加到所述一条或更多条虚设字线当中的被选虚设字线时，第一虚设字线电压被施加到所述多条选择线当中的与所述一条或更多条虚设字线相邻的选择线。

根据本公开的另一方面，提供了一种用于操作半导体装置的方法，所述半导体装置包括多个存储器单元、多个选择晶体管以及联接在多个存储器单元和多个存储器单元之间的多个虚设晶体管，该方法包括以下步骤：将编程电压施加到分别与多个虚设晶体管联接的多条虚设字线当中的被选虚设字线；以及将第一虚设字线电压施加到多条选择线当中的与多条虚设字线相邻的选择线。

根据本公开的又一方面，提供了一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置，所述存储器装置包括：具有多个存储器单元、多个选择晶体管以及联接在所述多个存储器单元和所述多个选择晶体管之间的一个或更多个虚设晶体管的存储器串、分别联接至所述多个存储器单元的多条字线、联接至所述一个或更多个虚设晶体管的一条或更多条虚设字线以及分别联接至所述多个选择晶体管的多条选择线；以及控制器，所述控制器被配置为在编程操作中控制所述存储器装置，以将编程电压施加到所述一条或更多条虚设字线当中的被选虚设字线，并将第一虚设字线电压施加到所述多条选择线当中的与所述一条或更多条虚设字线相邻的选择线。

附图说明

在下文中将参照附图更充分地描述各种实施方式；然而，它们可以以不同的形式实现，并且不应该被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开将是透彻的和完整的，并且将示例性实施方式的范围充分传达给本领域技术人员。

在附图中，为了清楚说明，可以夸大尺寸。应当理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。相同的附图标记始终表示相同的元件。

图1是例示了根据本公开的一个实施方式的半导体装置的框图。