[发明专利]一种低密度ITO靶材的制备方法

权利要求书

1.一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；

S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；

S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。

2.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述预处理的步骤包括：

(1)将所述ITO废靶在4-8mol/L的盐酸中浸泡2-4h，再用纯净水洗涤至电导率低于50μS/cm；

(2)将步骤(1)获得的ITO废靶进行烘干、破碎、煅烧获得粒度为200-300目的ITO废靶粉末。

3.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述ITO废靶中氧化铟与氧化锡的比例为93:7，所述低密度ITO靶材中氧化铟与氧化锡的比例为95:5。

4.根据权利要求2所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述煅烧的条件为：在空气气氛下，煅烧温度为600-1300℃。

5.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述氢氧化铟浆料的制备方法为：将精铟溶解在酸溶液中，再加入碱性物质获得氢氧化铟沉淀，将所述氢氧化铟沉淀洗涤、烘干后获得固含量为30％-50％的所述氢氧化铟浆料。

6.根据权利要求5所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述酸溶液为盐酸、硝酸和硫酸中的一种或任意几种的结合；所述碱性物质为氨水、氢氧化钠、碳酸钠、尿素中的一种或任意几种的结合。

7.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤S3中，烧结的条件为：将所述坯体放入真空气氛烧结炉中，在温度为700-1500℃之间进行烧结。

8.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述低密度靶材的致密度为58％-62％。

9.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述ITO废靶为高密度磁控溅射的ITO边角料或残靶。