[发明专利]一种低密度ITO靶材的制备方法

说明书

本发明涉及一种低密度ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。相对于现有技术，本发明的低密度ITO靶材通过添加氢氧化铟浆料改变ITO废靶中的铟、锡配比，利用了氢氧化铟浆料的类似胶体的性质，其能够充分与原ITO粉末混合，并充当粘接剂的角色，氢氧化铟脱水形成氧化铟的过程中不会使坯体收缩，保证成型后坯体的体积密度的稳定，克服了使用氧化铟作为改变配比的添加剂时引成型起坯体收缩的技术缺陷。

技术领域

本发明涉及ITO靶材的生产领域，特别是涉及一种低密度ITO靶材的制备方法。

背景技术

铟锡氧化物(indium tin oxide)简称ITO，成品为ITO陶瓷靶材，ITO靶材主要的化学成分是In₂O₃-SnO₂。ITO靶材是一种重要的光电功能材料，也是生产电子溅射ITO透明导电膜玻璃，是当今知识经济时代信息产业极为重要的电子陶瓷产品。目前，工业上生产ITO薄膜主要是用ITO靶材磁控溅射镀膜的方法，但是ITO靶材溅射镀膜的利用率仅为30％，剩余的未利用的部分成为废靶，另外，在靶材生产过程中也会产生边角料、切屑等废品。因此，废靶的回收利用是ITO产业中的非常重要的环节。

现有技术中，废靶的回收利用主要是通过回收ITO废靶，再利用其制备新的且符合需求的ITO靶材。目前，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的常见比例有90:10、95:5和93:7等，不同配比的ITO靶材适用于不同的ITO产品。在ITO产业链中，利用回收的ITO废靶制备具有新配比ITO靶材是常见的一种生产方法，通常是将ITO废靶预处理后，通过添加氧化铟(In₂O₃)和氧化锡(SnO₂)粉末，改变废靶中铟、锡含量的配比，最终获得满足配比需要的新ITO靶材。但是，在新ITO靶材制备的过程中，为了改变配比而加入的添加剂如氧化铟等与预处理后的废靶难以混合均匀，需要额外添加有机粘结剂辅助混合后的坯体成型，并且在后续的烧结过程中，由于有机粘结剂的存在，坯体剧烈收缩，从而导致靶材密度增加，是制备ITO靶材，尤其是制备低密度ITO靶材时需要克服的技术难点。

发明内容

基于此，本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种低密度ITO靶材的制备方法，其利用高密度废靶来制备低密度ITO靶材，大大优化了生产工艺，在获得致密度稳定且高品质的低密度ITO靶材的同时大幅降低了生产成本。

本发明是基于以下发明构思实现的：一种低密度ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：

S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；

S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；

S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。

相对于现有技术，本发明的低密度ITO靶材通过添加氢氧化铟浆料改变ITO废靶中的铟、锡配比，利用了氢氧化铟浆料的类似胶体的性质，其能够充分与原ITO粉末混合，并充当粘接剂的角色，氢氧化铟脱水形成氧化铟的过程中不会使坯体收缩，保证成型后坯体的体积密度的稳定，克服了使用氧化铟作为改变配比的添加剂时引成型起坯体收缩的技术缺陷。

进一步地，步骤S1中，所述预处理的步骤包括：

(1)将所述ITO废靶在4-8mol/L的盐酸中浸泡2-4h，再用纯净水洗涤至电导率低于50μS/cm；