[发明专利]一种金属图形化的剥离结构及其制作方法

权利要求书

1.一种金属图形化的剥离结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上表面的胶膜结构层，且所述胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；

位于所述胶膜结构层背离所述衬底的表面的第一光刻胶层，且所述第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。

2.如权利要求1所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述胶膜结构层包括：

位于所述衬底上表面的LOR光刻胶层；

位于所述LOR光刻胶层背离所述衬底的表面的第二光刻胶层。

3.如权利要求1所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述胶膜结构层包括：

位于所述衬底上表面的第三光刻胶层；

位于所述第三光刻胶层背离所述衬底的表面的第四光刻胶层。

4.如权利要求2所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述LOR光刻胶层的厚度取值范围为至包括端点值。

5.如权利要求1所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述第二台阶的宽度取值范围为0.5μm至5.0μm，包括端点值。

6.如权利要求1至5任一项所述的金属图形化的剥离结构，其特征在于，所述第一台阶的宽度取值范围为0.5μm至2.0μm，包括端点值。

7.一种金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，包括：

在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层；

按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域；

在经过曝光处理的待处理胶膜结构层背离所述衬底的表面形成待处理第一光刻胶层，得到待处理剥离结构；

按照第二预设曝光图形对所述待处理剥离结构进行曝光处理，使第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶，其中，所述第一光刻胶层为所述待处理第一光刻胶层的未曝光区域；

显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构。

8.如权利要求7所述的金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，所述显影所述待处理剥离结构的曝光区域，形成剥离结构包括：

显影所述待处理剥离结构的曝光区域；

对所述衬底的上表面与所述待处理剥离结构的所述曝光区域接触的区域进行扫膜处理，形成所述剥离结构。

9.如权利要求7或8所述的金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，所述在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层包括：

在所述衬底的上表面形成待处理LOR光刻胶层；

在所述待处理LOR光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第二光刻胶层；

相应的，按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域包括：

按照所述第一预设曝光图形对所述待处理LOR光刻胶层和所述待处理第二光刻胶层进行曝光处理，使LOR光刻胶层和第二光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述LOR光刻胶层、所述第二光刻胶层分别为所述待处理LOR光刻胶层、所述待处理第二光刻胶层的未曝光区域。

10.如权利要求7或8所述的金属图形化的剥离结构制作方法，其特征在于，所述在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层包括：

在所述衬底的上表面形成待处理第三光刻胶层；

按照第三预设曝光图形对所述待处理第三光刻胶层进行曝光处理；

在经过曝光处理的待处理第三光刻胶层背离所述衬底的表面形成待处理第四光刻胶层；

相应的，按照第一预设曝光图形对所述待处理胶膜结构层进行曝光处理，使胶膜结构层具有一级向上的第一台阶，其中，所述胶膜结构层为所述待处理胶膜结构层的未曝光区域包括：

按照第四预设曝光图形对所述待处理第四光刻胶层进行曝光处理，使第三光刻胶层和第四光刻胶层具有一级向上的第一台阶，其中，所述第三光刻胶层、第四光刻胶层分别为所述待处理第三光刻胶层、所述待处理第四光刻胶层的未曝光区域。