[发明专利]一种金属图形化的剥离结构及其制作方法

说明书

本申请公开了一种金属图形化的剥离结构，包括衬底；位于衬底上表面的胶膜结构层，且胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于胶膜结构层背离衬底的表面的第一光刻胶层，且第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离，可用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按需求进行调节，使得到的图形化金属宽度更窄，且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固，不易塌陷，从而使得到的图形化金属边缘光滑。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。

技术领域

本申请涉及半导体金属图形化工艺技术领域，特别是涉及一种金属图形化的剥离结构及其制作方法。

背景技术

剥离(Lift-Off)工艺是针对一些难以刻蚀的材料(如贵金属、难以腐蚀材料、腐蚀剂对其他暴露的材料没有足够的选择性)进行图形定义的工艺。在半导体工艺尤其后端工艺中进行金属图形化，金属图形化需要依靠剥离结构来实现。

目前，用于金属图形化的剥离结构具有一层屋檐结构，其获得方式有两种，一种是以LOR(Lift-off resist)光刻胶为衬底，在衬底上涂覆一层光刻胶并进行图形化，得到金属图形化的剥离结构；另一种方式是在衬底上先涂一层光刻胶，然后对该层光刻胶进行整体曝光，然后再涂覆一层光刻胶并进行光刻显影得到金属图形化的剥离结构。

在得到金属图形化的剥离结构后，再沉积金属层，然后再将光刻胶剥离以得到图形化金属，但是第一种方式得到的剥离结构的悬空高度、悬空横向宽度分别受LOR光刻胶高度、性质的限制，得到的图形化金属厚度也受LOR光刻胶高度的限制，图形化金属边缘具有毛刺、凹凸不平，不够美观，甚至影响器件性能，金属短路等异常；另一种方式得到的剥离结构受光刻显影的影响，使得整体曝光的光刻胶被显影掏空吃掉的悬浮结构过大，容易造成上层光刻胶塌陷，无法制作出好的图形化金属或小条宽的图形化金属。

因此，如何提供一种剥离结构，使得利用该结构制得的图形化金属边缘光滑，线宽可控，且能够获得宽度比较窄、厚度较厚的图形化金属。

发明内容

本申请的目的是提供一种金属图形化的剥离结构及其制作方法，以使得利用该剥离结构可以得到边缘光滑、厚度较厚、宽度比较窄的图形化金属。

为解决上述技术问题，本申请提供一种金属图形化的剥离结构，包括：

衬底；

位于所述衬底上表面的胶膜结构层，且所述胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；

位于所述胶膜结构层背离所述衬底的表面的第一光刻胶层，且所述第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。

可选的，所述胶膜结构层包括：

位于所述衬底上表面的LOR光刻胶层；

位于所述LOR光刻胶层背离所述衬底的表面的第二光刻胶层。

可选的，所述胶膜结构层包括：

位于所述衬底上表面的第三光刻胶层；

位于所述第三光刻胶层背离所述衬底的表面的第四光刻胶层。

可选的，所述LOR光刻胶层的厚度取值范围为至包括端点值。

可选的，所述第二台阶的宽度取值范围为0.5μm至5.0μm，包括端点值。

可选的，所述第一台阶的宽度取值范围为0.5μm至2.0μm，包括端点值。

本申请还提供一种金属图形化的剥离结构制作方法，包括：

在衬底的上表面形成待处理胶膜结构层；