[发明专利]湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法及装置

权利要求书

1.一种湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在衬底上制备保护膜；

步骤2，利用湿法刻蚀，形成湿法槽；

步骤3，利用干法刻蚀湿法槽，将湿法槽加工成芯片槽；

步骤2包括：

步骤2.1，在保护膜上旋涂光刻胶；

步骤2.2，显影出芯片湿法槽开窗图形，制备湿法槽开窗图案；

步骤2.3，以光刻胶为掩膜，刻蚀保护膜并去除光刻胶；

步骤2.4，以保护膜为掩膜，进行湿法刻蚀，形成湿法槽，所述湿法槽为距离芯片边缘140um的同比例外廓槽，深50um；

步骤3包括：

步骤3.1，在保护膜上旋涂光刻胶；

步骤3.2，显影出芯片干法槽开窗图形，制备干法槽图案；

步骤3.3，干法刻蚀湿法槽，形成芯片槽，所述干法刻蚀的图形为距离芯片15um的同比例外廓；

步骤3.3包括：

步骤3.3.1，以光刻胶为掩膜，通过干法刻蚀湿法槽；

步骤3.3.2，进行分步遮挡刻蚀，形成芯片槽。

2.根据权利要求1所述的湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法，其特征在于，步骤2.4中，以保护膜为掩膜，通过氢氧化钾溶液进行腐蚀，刻蚀出湿法槽。

3.根据权利要求2所述的湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法，其特征在于，湿法槽的深度为50微米。

4.根据权利要求1所述的湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法，其特征在于，步骤3.3.1中，通过电感耦合等离子体干法刻蚀湿法槽。

5.根据权利要求1所述的湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法，其特征在于，步骤3.3.2中，通过无尘胶带遮挡湿法槽进行分步遮挡刻蚀。

6.根据权利要求1所述的湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法，其特征在于，保护膜为Si₃N₄薄膜。

7.一种湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的装置，其特征在于，装置由权利要求1至6任意一项权利要求所述的湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法制备而成。