[发明专利]LED驱动电源的集成电路及其制造方法及LED驱动电源

权利要求书

1.一种LED驱动电源的集成电路，其特征在于，所述LED驱动电源的集成电路包括控制芯片、功率MOSFET芯片、二极管芯片、引线框架及塑封料；其中，所述引线框架包括第一芯片承载区、第二芯片承载区、第三芯片承载区及HV引脚，所述控制芯片通过绝缘胶焊接在第一芯片承载区，所述功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在第二芯片承载区，所述二极管芯片的负极通过导电胶焊接在第三芯片承载区，所述第一芯片承载区、第二芯片承载区和第三芯片承载区为导电片；

所述二极管芯片的正极通过键合丝连接到所述第二芯片承载区，使得所述二极管芯片的正极与所述功率MOSFET芯片的漏极连接；所述第二芯片承载区包括所述引线框架的漏极引脚，且所述漏极引脚露出所述塑封料外；

所述控制芯片通过键合丝连接到所述第三芯片承载区，使得所述二极管芯片的负极与所述控制芯片连接；且所述第三芯片承载区与所述引线框架的HV引脚直接连接。

2.根据权利要求1所述的LED驱动电源的集成电路，其特征在于，所述漏极引脚露出所述塑封料外的宽度为0.875±0.05mm。

3.根据权利要求2所述的LED驱动电源的集成电路，其特征在于，所述二极管芯片的正极通过两条键合丝连接到所述第二芯片承载区。

4.根据权利要求3所述的LED驱动电源的集成电路，其特征在于，所述功率MOSFET芯片的源极通过两条键合丝与所述引线框架的CS引脚连接，所述控制芯片的CS引脚通过一条键合丝与所述引线框架的CS引脚连接。

5.根据权利要求4所述的LED驱动电源的集成电路，其特征在于，所述控制芯片的GATE引脚通过键合丝与所述功率MOSFET芯片的栅极连接；所述控制芯片的GND引脚通过键合丝连接到所述第一芯片承载区，所述第一芯片承载区与所述引线框架的GND引脚直接连接；所述控制芯片的ROVP引脚通过键合丝与所述引线框架的ROVP引脚连接。

6.根据权利要求5所述的LED驱动电源的集成电路，其特征在于，所述二极管芯片为N型衬底二极管芯片，所述二极管芯片的负极为所述衬底，所述二极管芯片的正极为P型掺杂区。

7.根据权利要求1所述的LED驱动电源的集成电路，其特征在于，所述N型衬底二极管芯片的击穿电压V_Z≥650V,所述N型衬底二极管芯片的反向恢复时间Trr≤35ns。

8.一种LED驱动电源的集成电路的制造方法，其特征在于，包括：

获取控制芯片、功率MOSFET芯片、二极管芯片及引线框架，所述引线框架包括第一芯片承载区、第二芯片承载区、第三芯片承载区及HV引脚，所述第一芯片承载区、第二芯片承载区和第三芯片承载区为导电片；

进行芯片焊接，包括将所述控制芯片通过绝缘胶焊接在所述第一芯片承载区，将所述功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在所述第二芯片承载区，将所述二极管芯片的负极通过导电胶焊接在所述第三芯片承载区；

进行电连接处理，包括将所述二极管芯片的正极通过键合丝连接到所述第二芯片承载区，使得所述二极管芯片的正极与所述功率MOSFET芯片的漏极连接，将所述控制芯片通过键合丝连接到所述第三芯片承载区，使得所述二极管芯片的负极与所述控制芯片连接，将所述第三芯片承载区与所述引线框架的HV引脚直接连接；

将完成所述芯片焊接和电连接处理后的集成电路进行烘烤；

采用塑封料对完成所述烘烤后的集成电路进行密封，将所述引线框架的漏极引脚露出所述塑封料外；

对完成所述密封后的集成电路进行电镀；

对完成所述电镀后的集成电路进行切筋；

对完成所述切筋后的集成电路进行测试。