[发明专利]LED驱动电源的集成电路及其制造方法及LED驱动电源

说明书

本发明涉及一种LED驱动电源的集成电路及其制造方法及LED驱动电源，该LED驱动电源的集成电路包括控制芯片、功率MOSFET芯片、二极管芯片、引线框架及塑封料；引线框架包括第一芯片承载区、第二芯片承载区、第三芯片承载区及HV引脚，控制芯片通过绝缘胶焊接在第一芯片承载区，功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在第二芯片承载区，二极管芯片的负极通过导电胶焊接在第三芯片承载区；二极管芯片的正极连接到第二芯片承载区；第二芯片承载区包括引线框架的漏极引脚，且漏极引脚露出塑封料外；第三芯片承载区与引线框架的HV引脚直接连接。提高了LED驱动电源的集成电路集成度，达到良好的散热效果。

技术领域

本发明涉及电源领域，特别是涉及一种LED驱动电源的集成电路及其制造方法及LED驱动电源。

背景技术

目前市场上应用在LED(Light Emitting Diode，发光二极管)驱动电源的集成电路IC，终端客户依功率区分为两种结构：(1)应用于输出功率≤12W的LED驱动电源的IC，其内部结构为IC驱动芯片与功率芯片集成为一体。(2)应用于输出功率≥12W的LED驱动电源的IC，其内部结构为IC驱动芯片与功率芯片为两个不同的个体。而终端客户在应用时都需要外部接上二极管(D1)才能正常工作(如图1)，终端客户在设计时PCB板空间大，腔体大，贴片成本高，同时二极管参数与LED驱动IC1的参数一致性无法保障；且因LED驱动电源的集成电路IC1的内部器件多，产热大，容易导致器件损坏。

发明内容

基于此，有必要针对现有的LED驱动电源的集成电路IC1的终端客户在应用时都需要外部接上二极管(D1)才能正常工作，终端客户在设计时PCB板空间大，腔体大，贴片成本高，同时二极管参数与LED驱动IC1的参数一致性无法保障；且因LED驱动电源的集成电路IC1的内部器件多，产热大，容易导致器件损坏的问题，提供一种LED驱动电源的集成电路及其制造方法及LED驱动电源。

一种LED驱动电源的集成电路，所述LED驱动电源的集成电路包括控制芯片、功率MOSFET芯片、二极管芯片、引线框架及塑封料；其中，所述引线框架包括第一芯片承载区、第二芯片承载区、第三芯片承载区及HV引脚，所述控制芯片通过绝缘胶焊接在第一芯片承载区，所述功率MOSFET芯片的漏极通过导电胶焊接在第二芯片承载区，所述二极管芯片的负极通过导电胶焊接在第三芯片承载区，所述第一芯片承载区、第二芯片承载区和第三芯片承载区为导电片；

所述二极管芯片的正极通过键合丝连接到所述第二芯片承载区，使得所述二极管芯片的正极与所述功率MOSFET芯片的漏极连接；所述第二芯片承载区包括所述引线框架的漏极引脚，且所述漏极引脚露出所述塑封料外；

所述控制芯片通过键合丝连接到所述第三芯片承载区，使得所述二极管芯片的负极与所述控制芯片连接；且所述第三芯片承载区与所述引线框架的HV引脚直接连接。

在其中一个实施例中，所述漏极引脚露出所述塑封料外的宽度为0.875±0.05mm。

在其中一个实施例中，所述二极管芯片的正极通过两条键合丝连接到所述第二芯片承载区。

在其中一个实施例中，所述功率MOSFET芯片的源极通过两条键合丝与所述引线框架的CS引脚连接，所述控制芯片的CS引脚通过一条键合丝与所述引线框架的CS引脚连接。

在其中一个实施例中，所述控制芯片的GATE引脚通过键合丝与所述功率MOSFET芯片的栅极连接；所述控制芯片的GND引脚通过键合丝连接到所述第一芯片承载区，所述第一芯片承载区与所述引线框架的GND引脚直接连接；所述控制芯片的ROVP引脚通过键合丝与所述引线框架的ROVP引脚连接。

在其中一个实施例中，所述二极管芯片为N型衬底二极管芯片，所述二极管芯片的负极为所述衬底，所述二极管芯片的正极为P型掺杂区。