[发明专利]存储器阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

包括有源区域的材料；

隔离区域；

沿着所述材料延伸的埋入字线，至少一条所述埋入字线和所述隔离区域与至少一个所述有源区域相交，所述至少一条所述埋入字线和所述隔离区域将所述至少一个所述有源区域分割成至少两部分，所述至少两部分包括至少一个存储单元接触区域和一个位线接触区域；

沿着所述材料延伸的埋入位线，至少一条所述埋入位线邻近所述位线接触区域放置；

盖材料，其在所述埋入位线上方；

邻近所述至少一个存储单元接触区域的外延硅材料，其中所述外延硅材料具有高于所述盖材料的上表面的上表面；以及

介电材料，其在所述外延硅材料上方，所述介电材料与所述盖材料的所述上表面以及所述外延硅材料的所述上表面接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述隔离区域包含在每一个所述有源区域之间放置的隔离区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一条所述埋入字线和所述隔离区域将所述至少一个所述有源区域分割成三部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述至少一个所述有源区域的所述三部分包含两个存储单元接触区域和所述位线接触区域。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中每一个所述埋入字线与至少一个所述有源区域相交。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述有源区域沿着第一方向延伸，且所述埋入字线沿着横向于所述第一方向的第二方向延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述埋入位线沿着横向于所述第二方向的第三方向延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述埋入位线的所述上表面与所述至少一个存储单元接触区域的上表面齐平。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述外延硅材料从所述至少一个存储单元接触区域的至少一个暴露侧壁及上表面延伸。

10.一种存储器裸片，包含：

包括有源区域的材料；

沿着所述材料延伸的字线，所述字线与至少一个所述有源区域相交，至少一条所述字线将所述至少一个所述有源区域分割成至少两部分，所述至少两部分包括至少一个存储单元接触区域和一个位线接触区域；

沿着所述材料延伸的位线，至少一条所述位线邻近所述位线接触区域放置；

盖材料，其沿着所述位线延伸；以及

邻近所述至少一个存储单元接触区域的硅材料，其中所述硅材料具有高于所述盖材料的上表面的上表面，其中所述盖材料的所述上表面和所述有源区域的上表面两者位于距离所述材料的下部相同的高度处，并且其中所述硅材料的下表面位于距离所述材料的所述下部所述相同的高度处。

11.根据权利要求10所述的存储器裸片，其中所述位线的所述上表面和所述至少一个存储单元接触区域的上表面两者放置在距所述材料的下部的一高度处，并且其中所述硅材料的下表面放置在距所述材料的所述下部的所述高度处。

12.根据权利要求10所述存储器裸片，其中所述位线以一锐角与所述有源区域相交。

13.根据权利要求10所述存储器裸片，进一步包含直接在所述硅材料上的电容器。

14.根据权利要求10所述存储器裸片，进一步包含分割所述有源区域的隔离区域。

15.根据权利要求14所述存储器裸片，进一步包含所述位线接触区域与所述硅材料之间的开口凹陷体积。