[发明专利]湿度感测器及其制造方法在审
申请号: | 201910776385.3 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110333272A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 涂煜杰 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 湿度感测器 半导体层 湿度感测 式( I ) 电极层 基板 烷基 直链或支链 个数量级 脱氧核醣 灵敏度 单股 核酸 阻抗 制造 | ||
1.一种湿度感测器,其特征在于,包含:
一基板;
一电极层,设置于该基板上;
一半导体层,位于该电极层上;以及
一湿度感测层,位于该半导体层上,其中该湿度感测层系由式(I)结构所组成:
其中R为C1~C20的直链或支链烷基,X为一单股脱氧核醣核酸。
2.如权利要求1所述的湿度感测器,其中该单股脱氧核醣核酸包含腺嘌呤、胸腺嘧啶、鸟嘌呤、胞嘧啶及其一组合。
3.如权利要求1所述的湿度感测器,其中该半导体层包含二氧化锡。
4.如权利要求1所述的湿度感测器,其中该电极层具有一指叉式结构。
5.一种制造湿度感测器的方法,其特征在于,包含以下步骤:
提供一基板及一电极层,其中该电极层位于该基板上;
形成一半导体层于该电极层上;以及
形成一湿度感测层于该半导体层上,该湿度感测层系由式(I)结构所组成:
其中R为C1~C20的直链或支链烷基,X为一单股脱氧核醣核酸。
6.如权利要求5所述的方法,其中形成该半导体层于该电极层上的步骤包含:
沉积一电浆于该电极层上,其中该电浆为四甲基锡及氧气的一混合物。
7.如权利要求5所述的方法,其中形成该湿度感测层于该电极层上的步骤包含以下子步骤:
形成一胺基结构于该半导体层上;
连接一直链或支链烷基醛结构至该胺基结构上;以及
连接一单股脱氧核醣核酸于该直链或支链烷基醛结构上。
8.如权利要求7所述的方法,其中形成该胺基结构于该半导体层上的子步骤包含一光聚合反应。
9.如权利要求8所述的方法,其中在执行该光聚合反应后,形成该胺基结构于该半导体层上的子步骤更包含将该半导体层浸渍于一聚乙烯亚胺溶液中。
10.如权利要求5所述的方法,其中该单股脱氧核醣核酸包含腺嘌呤、胸腺嘧啶、鸟嘌呤、胞嘧啶及其一组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司,未经业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910776385.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。