[发明专利]集成电路(IC)器件在审
申请号: | 201910776525.7 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN111312685A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 安浚爀;李明东 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/538 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 ic 器件 | ||
1.一种集成电路IC器件,包括:
线结构,包括形成在衬底上的导线和覆盖所述导线的下绝缘覆盖图案;
绝缘间隔物,覆盖所述线结构的侧壁;
导电插塞,在第一水平方向上与所述导线间隔开,在所述导电插塞与所述导线之间具有所述绝缘间隔物;
下绝缘围栏,在所述第一水平方向上与所述导线间隔开,在所述下绝缘围栏和所述导线之间具有所述绝缘间隔物,所述下绝缘围栏具有与所述导电插塞接触的侧壁;以及
上绝缘围栏,包括覆盖所述下绝缘覆盖图案的上表面的第一部分和覆盖所述下绝缘围栏的上表面的第二部分,其中所述第二部分在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上的宽度不同于所述下绝缘围栏在所述第二水平方向上的宽度。
2.根据权利要求1所述的IC器件,其中所述上绝缘围栏的所述第二部分在所述第二水平方向上的宽度小于所述下绝缘围栏在所述第二水平方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的IC器件,其中所述上绝缘围栏的所述第二部分在所述第二水平方向上的宽度大于所述下绝缘围栏在所述第二水平方向上的宽度。
4.根据权利要求1所述的IC器件,其中所述下绝缘围栏和所述上绝缘围栏由相同材料形成。
5.根据权利要求1所述的IC器件,其中所述下绝缘围栏和所述上绝缘围栏由不同材料形成。
6.根据权利要求1所述的IC器件,其中所述导电插塞的上表面的高度低于所述下绝缘栅和所述上绝缘围栏之间的界面的高度。
7.根据权利要求1所述的IC器件,其中所述导电插塞的上表面的高度高于所述下绝缘栅和所述上绝缘围栏之间的界面的高度。
8.根据权利要求1所述的IC器件,还包括:
导电接地焊盘,布置在所述导电插塞上,以与所述导电插塞竖直重叠,
其中所述导电接地焊盘包括被所述上绝缘围栏围绕的部分。
9.根据权利要求8所述的IC器件,其中所述导电接地焊盘包括覆盖所述上绝缘围栏的上表面的部分。
10.一种集成电路IC器件,包括:
一对线结构,包括在衬底上彼此平行延伸并在第一水平方向上彼此相邻的一对导线和覆盖所述一对导线的一对下绝缘覆盖图案;
多个导电插塞,插入在所述一对线结构之间;
多个下绝缘围栏,与所述一对导线之间的所述多个导电插塞交替,使得一个下绝缘围栏位于两个相邻的导电插塞之间;以及
上绝缘围栏,具有网状结构,所述网状结构与所述一对下绝缘覆盖图案中的每一个的上表面和所述多个下绝缘围栏中的每一个的上表面接触。
11.根据权利要求10所述的IC器件,其中所述上绝缘围栏的与所述多个下绝缘围栏接触的部分的宽度小于所述下绝缘围栏在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上的宽度。
12.根据权利要求10所述的IC器件,
其中所述上绝缘围栏包括形成在分别对应于所述多个导电插塞的位置处的多个孔;以及
其中所述多个孔中的每一个在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上的宽度大于所述多个导电插塞中的每一个在所述第二水平方向上的宽度。
13.根据权利要求12所述的IC器件,还包括:
多个金属硅化物层,覆盖所述多个导电插塞的相应上表面;以及
多个导电接地焊盘,接触所述多个金属硅化物层,并且每个导电接地焊盘在竖直方向上延伸穿过所述多个孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910776525.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。