[发明专利]最小化半导体图案中光学邻近校正误差的方法及设备

权利要求书

1.一种用于最小化半导体图案中的光学邻近校正误差的方法，包括：

以量化单元修改掩模，以减小模拟布局形状和目标布局形状之间的边缘放置误差，所述边缘放置误差包括与模拟布局形状的临界尺寸CD和目标布局形状的CD之间的差异相对应的CD误差；

通过根据比较结果以预定单元进一步修改掩模的至少一侧，调整模拟布局形状的CD和目标布局形状的CD之间的CD误差以生成调整后的CD误差，所述比较结果是通过将模拟布局形状的CD和目标布局形状的CD之间的CD误差的绝对值与预定误差阈值进行比较而获得的；以及

通过用任意校正值修改掩模的每一侧来重新形成模拟布局形状。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

以量化单元修改掩模、调整模拟布局形状的CD和目标布局形状的CD之间的CD误差、以及重新形成模拟布局形状被重复预定次数以执行多个重复操作，其中模拟布局形状是由穿过掩模的光形成的，每个重复操作包括调整模拟布局形状的CD和目标布局形状的CD之间的CD误差，并且重新形成模拟布局形状，并且

任意校正值在预定次数中的每一次不同。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

调整后的CD误差在预定次数中的每一次被存储，

最小CD误差被确定为所存储的调整后的CD误差当中的最小值，并且

当从多个重复操作的所确定的操作提取到最小CD误差时，所确定的操作在多个重复操作当中被确定。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括存储所确定的操作中的掩模的数值信息、所确定的操作中的掩模的修改信息和在多个重复操作被完成预定次数之后的最小CD误差中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

半导体图案是通过使用多个模板中的每一个中的多个布局形状而重复形成的，并且

所述方法进一步包括在以量化单元修改掩模之前，获得与多个模板中的图案中的每一个相对应的平均模拟布局形状的位置信息。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

以量化单元修改掩模、调整模拟布局形状的CD和目标布局形状的CD之间的CD误差、以及重新形成模拟布局形状被顺序重复预定次数，以基于平均模拟布局形状的位置信息来执行多个重复操作，并且

任意校正值在预定次数中的每一次不同。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

调整后的CD误差在预定次数中的每一次被存储，

最小CD误差被确定为所存储的调整后的CD误差当中的最小值，并且

当从多个重复操作的所确定的操作提取到最小CD误差时，所确定的操作在多个重复操作当中被确定。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括存储所确定的操作中的掩模的数值信息、所确定的操作中的掩模的修改信息和在多个重复操作被完成预定次数之后的最小CD误差中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

当CD误差的绝对值大于预定误差阈值时，掩模的至少一侧以预定单元被修改，以减小CD误差并存储减小后的CD误差，并且

当CD误差的绝对值小于预定误差阈值时，CD误差不被进一步调整而被存储。

10.一种计算机可读存储介质，包括用于一个或多个程序的计算机程序代码，其中所述计算机程序代码控制至少一个处理器来执行根据权利要求1所述的方法。