[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201910777815.3 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110491885B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 丁友信;傅春霖;徐伟钧 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,包括:
基底;
多条信号线,设置于该基底上;
多个像素结构,电性连接至该信号线;
驱动元件,设置于该基底上;以及
多条扇出走线,其中该扇出走线的每一条电性连接于该信号线的一条及该驱动元件;
其中,该扇出走线包括至少一条第一扇出走线及至少一条第二扇出走线;
每一条该第一扇出走线包括:
第一段,连接至该驱动元件;
第二段,连接至该第一段;以及
第三段,连接至该第二段,其中每一条该第一扇出走线的该第一段的片电阻及每一条该第一扇出走线的该第三段的片电阻小于每一条该第一扇出走线的该第二段的片电阻;
每一条该第二扇出走线包括:
第一段,连接至该驱动元件,且对应每一条该第一扇出走线的该第一段设置;以及
第二段,连接至每一条该第二扇出走线的该第一段,且对应每一条该第一扇出走线的该第二段及该第三段设置,其中每一条该第二扇出走线的该第二段的片电阻小于每一条该第二扇出走线的该第一段的片电阻;
每一条该第一扇出走线的该第二段的一部分具有线宽W1,每一条该第二扇出走线的该第二段的一部分具有线宽W2,而W2W1。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,每一条该第一扇出走线还包括转接结构,而该转接结构包括:
第一导电图案,直接连接于每一条该第一扇出走线的该第二段;
第二导电图案,直接连接于每一条该第一扇出走线的该第三段;
第一绝缘层,设置于该第一导电图案与该第二导电图案之间;
第二绝缘层,设置于该第二导电图案上,且具有至少一个接触窗;以及
桥接图案,设置于该第二绝缘层上,且通过该第二绝缘层的该接触窗电性连接至该第一导电图案及该第二导电图案。
3.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一绝缘层具有接触窗,该第一绝缘层的该接触窗的边缘与该第二导电图案的边缘的一部分及该第二绝缘层的该接触窗的边缘的一部分实质上切齐。
4.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该信号线在第一方向上排列,该第一扇出走线包括多条第一扇出走线,该第一扇出走线的多个转接结构在第二方向上排列,且该第一方向垂直于该第二方向。
5.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该信号线在第一方向上排列,该第一扇出走线包括多条第一扇出走线,该第一扇出走线的多个转接结构在第三方向上排列,其中该第一方向与该第三方向交错且不相垂直。
6.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一扇出走线包括多条第一扇出走线,该第一扇出走线分别包括多个转接结构,多条拟直线通过该转接结构,每一条该拟直线通过该转接结构的相邻的两个转接结构,而该拟直线连接成一条拟折线。
7.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一扇出走线包括多条第一扇出走线,该第一扇出走线分别包括多个转接结构,该第二扇出走线包括多条第二扇出走线,该第二扇出走线的多个第二段分别具有多个弯曲部,且该第二扇出走线的该弯曲部分别对应该第一扇出走线的该转接结构设置。
8.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,每一条该第一扇出走线的该第二段于该基底的垂直投影与每一条该第二扇出走线的该第二段于该基底的垂直投影具有第一间距S1,每一条该第一扇出走线的该第三段于该基底的垂直投影与每一条该第二扇出走线的该第二段于该基底的垂直投影具有一第二间距S2,而S1S2。
9.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,每一条该第一扇出走线的该第一段具有长度L1,每一条该第一扇出走线的该第二段具有长度L2,每一条该第一扇出走线的该第三段具有长度L3,而
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的