[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置在审
| 申请号： | 201910778034.6 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110620154A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈川;陈鹏宇;马涛;杨成绍 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘源 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 衬底基板 源层 光照环境 显示产品 显示面板 源漏电极 空穴 光生载流子 高温环境 工作性能 光照条件 空穴俘获 投影重叠 依次层叠 阵列基板 阈值电压 缺陷态 源电极 减小 制备 光照 投影 应用 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底基板和依次层叠在所述衬底基板上的有源层和源漏电极；所述源漏电极中的源电极在衬底基板上的投影与所述有源层的部分边缘在衬底基板上的投影重叠。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极包覆所述有源层的部分边缘。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极呈U形，所述有源层呈方形；
所述有源层的部分边缘包括三个边缘；所述源电极包覆所述有源层的所述三个边缘。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极的两个端面在衬底基板上的投影与所述有源层中除了所述三个边缘外的第四个边缘在衬底基板上的投影部分重合。
5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极呈L形，所述有源层呈方形；
所述有源层的部分边缘包括两个边缘；所述源电极包覆所述有源层的所述两个边缘。
6.如权利要求3至5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极中的漏电极呈条状，且一端插设在所述源电极所包围的区域内。
7.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括依次层叠的半导体层和欧姆接触层，所述欧姆接触层的图案与所述源漏电极的图案为相似图案；
所述源漏电极的源电极和漏电极之间具有沟道区域；所述欧姆接触层朝向所述沟道区域一侧的边缘在衬底基板上的投影与所述源漏电极朝向所述沟道区域一侧的边缘在衬底基板上的投影至少部分重合。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为车载显示装置。
12.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底基板上形成有源层；
在所述有源层上制备金属层，通过构图工艺形成源漏电极的图案，所述源漏电极中的源电极在衬底基板上的投影与所述有源层的部分边缘在衬底基板上的投影重叠。
13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成有源层，具体包括：
在所述衬底基板上依次制备半导体层和欧姆接触层；
通过构图工艺形成所述欧姆接触层的图案，所述欧姆接触层的图案与所述源漏电极的图案为相似图案；所述源漏电极的源电极和漏电极之间具有沟道区域，所述欧姆接触层朝向所述沟道区域一侧的边缘在衬底基板上的投影与所述源漏电极朝向所述沟道区域一侧的边缘在衬底基板上的投影至少部分重合。
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