[发明专利]像素结构及其修补方法有效
申请号: | 201910778080.6 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110416231B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 颜泽宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 修补 方法 | ||
1.一种像素结构,包括:
基板;
元件层,设置于该基板上;
第一绝缘层,设置于该元件层上并具有多个容置空间,该第一绝缘层的材质包括具黏性的光阻材料,该光阻材料包括光固型光阻材料或热固型光阻材料;
第一发光元件,设置于对应的该容置空间,该第一发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、电性连接于该第一半导体层的第一电极,以及电性连接于该第二半导体层的第二电极;
第三发光元件,设置于对应的该容置空间;
第二绝缘层,设置于该第一绝缘层上,且完全覆盖该第一发光元件;
第二发光元件,在第一方向上固定设置于该第二绝缘层上并重叠该第一发光元件的部分,该第二发光元件包括第三半导体层、第四半导体层、电性连接于该第三半导体层的第三电极,以及电性连接于该第四半导体层的第四电极;
多条第一信号线,设置于该第一绝缘层上,该第一信号线电性连接至该元件层,且该第一信号线电性绝缘于该第一发光元件的该第一电极;以及
多条第二信号线,该些第二信号线电性连接至该些第一信号线及该第二发光元件的该第三电极,
其中,该第一电极、该第二电极、该第三电极及该第四电极朝该第一方向设置。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,还包括第三发光元件,设置于该第一绝缘层上,该第三发光元件包括第五半导体层、第六半导体层、电性连接于该第五半导体层的第五电极,以及电性连接于该第六半导体层的第六电极,
其中该第一信号线电性连接至该第三发光元件的该第五电极,
其中该第五电极及该第六电极朝该第一方向设置。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,还包括:
多条第三信号线,设置于该第一绝缘层上,该第三信号线电性连接至该元件层,该些第三信号线电性绝缘于该第一发光元件的该第二电极,且该些第三信号线电性连接至该第三发光元件的该第六电极;以及
多条第四信号线,该第四信号线的其中一部分电性连接至该些第三信号线及该第二发光元件的该第四电极。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第二绝缘层覆盖该第三发光元件,且该第一发光元件的中心与对应的该容置空间的中线之间的距离,大于该第三发光元件的中心与对应的另一容置空间的中线之间的距离。
5.一种像素结构的修补方法,包括:
提供基板;
形成元件层于该基板上;
形成第一绝缘层于该元件层上,该第一绝缘层具有多个容置空间,该第一绝缘层的材质包括具黏性的光阻材料,该光阻材料包括光固型光阻材料或热固型光阻材料;
转置第一发光元件和第三发光元件于对应的该容置空间;
形成线路层于该第一绝缘层上,电性连接至该元件层;
形成第二绝缘层于该第一绝缘层上,完全覆盖该第一发光元件、该第三发光元件及部分覆盖该线路层;
设置第二发光元件于该第二绝缘层上,在第一方向上,该第二发光元件重叠该第一发光元件的部分;以及
形成多条第二信号线于该第二绝缘层上,该第二信号线电性连接至该线路层及该第二发光元件,
其中该第一发光元件具有第一电极及第二电极,该第二发光元件具有第三电极及第四电极,该第一电极、该第二电极、该第三电极及该第四电极朝该第一方向设置。
6.如权利要求5所述的像素结构的修补方法,其特征在于,该线路层包括多条第一信号线及多条第三信号线,该线路层将该元件层电性连接至该第一发光元件的该第一电极,且于形成该线路层的步骤之后,还包括:
进行移除程序,以断开该线路层与该第一发光元件的连接,并使该些第一信号线电性绝缘于该第一发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的