[发明专利]像素结构及其修补方法有效
申请号: | 201910778080.6 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110416231B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 颜泽宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 修补 方法 | ||
本发明提出的一种像素结构,包括基板、元件层设置于基板上、第一绝缘层设置于元件层上、第一发光元件设置于第一绝缘层上、第二发光元件设置于第一绝缘层上、多条第一信号线设置于第一绝缘层上以及多条第二信号线。第一信号线电性连接至元件层且第一信号线电性绝缘于第一发光元件。第二信号线电性连接第一信号线及第二发光元件。于第一方向上,第二发光元件重叠第一发光元件的部分,且第一发光元件的电极及第二发光元件的电极朝第一方向设置。本发明还提出一种像素结构的修补方法。
技术领域
本发明涉及一种像素结构及其修补方法,且特别是涉及一种垂直堆栈发光元件的像素结构及其修补方法。
背景技术
随着科技的进步,发光二极管已成为常见且广泛应用于各种领域的元件。以作为光源而言,发光二极管具有许多优点,包含能量消耗低、使用寿命长以及切换速度快等。因此,传统光源已经逐渐被发光二极管所替代。
除了作为光源外,发光二极管也已经应用于显示领域。一般而言,发光二极管是通过大量转置于子像素内。当发光二极管损坏或因精度公差而偏移预定位置而无法与导线连接时,就无法发光而产生暗点,降低显示质量。此外,通常的修补方法是逐一替换发光二极管,不仅制程繁琐,还需要大量时间,提升制造成本。
发明内容
本发明之一实施例的像素结构,包括基板、元件层设置于基板上、第一绝缘层设置于元件层上、第一发光元件设置于第一绝缘层上、第二发光元件设置于第一绝缘层上、多条第一信号线设置于第一绝缘层上以及多条第二信号线。第一发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、第一电极电性连接第一半导体层以及第二电极电性连接第二半导体层。第二发光元件包括第三半导体层、第四半导体层、第三电极电性连接第三半导体层以及第四电极电性连接第四半导体层。这些第一信号线电性连接至元件层,这些第一信号线电性绝缘于第一发光元件的第一电极。这些第二信号线电性连接至这些第一信号线及第二发光元件的第三电极。于第一方向上,第二发光元件重叠第一发光元件的部分,且第一电极、第二电极、第三电极及第四电极朝第一方向设置。
本发明之一实施例的像素结构的修补方法,包括以下步骤。提供基板。形成元件层于基板上。形成第一绝缘层于元件层上。转置第一发光元件于第一绝缘层上。形成线路层于第一绝缘层上,电性连接至元件层。形成第二绝缘层于第一绝缘层上,覆盖第一发光元件及线路层。设置第二发光元件于第二绝缘层上,且于第一方向上,第二发光元件重叠第一发光元件的部分。以及,形成多条第二信号线于第二绝缘层上,这些第二信号线电性连接至线路层及第二发光元件。第一发光元件具有第一电极及第二电极,第二发光元件具有第三电极及第四电极,第一电极、第二电极、第三电极及第四电极朝第一方向设置。
基于上述,在本发明一实施例的像素结构和/或其修补方法中,由于在进行修补时,不需移除因精度公差或损坏产生暗点的第一发光元件,即可进行修补。因此,可简化像素结构的修补方法、缩短修补时间以减少像素结构的制造成本。另外,由于像素结构于修补后,第二发光单元可以重叠部分的第一发光单元,系以垂直堆栈的方式设置,因此,像素结构可以具有优良的光场型,以提升应用上述像素结构的显示质量。
本发明之目的之一为修补因精度公差产生暗点的像素结构。
本发明之目的之一为修补因损坏产生暗点的像素结构。
本发明之目的之一为简化像素结构的修补方法。
本发明之目的之一为缩短像素结构的修补时间。
本发明之目的之一为减少像素结构的制造成本。
本发明之目的之一为提升应用像素结构的显示质量。
附图说明
图1为本发明实施例的像素结构的剖面示意图。
图2A至图2H为本发明实施例的像素结构的修补方法的剖面示意图。
图3A为本发明实施例的第一发光元件及第二发光元件的上视示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的