[发明专利]一种静电保护电路在审

专利信息
申请号: 201910779459.9 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN112420688A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 许杞安 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 静电 保护 电路
【说明书】:

发明实施例涉及静电保护电路设计,公开了一种静电保护电路,包括:静电保护模块;输入输出端、电源端以及接地端;所述静电保护模块包括第一NMOS晶体管、第一电容及第一电阻,所述第一NMOS晶体管的源极和衬底均与所述输入输出端连接、漏极与所述接地端连接;所述第一电容的第一端与所述接地端连接、第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接;所述第一电阻的第一端与所述输入输出端连接、第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接。本发明中,所述静电保护电路能够在不影响内部电路工作的同时,有效实现内部电路的静电保护。

技术领域

本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种静电保护电路。

背景技术

集成电路在制造、封装、测试和应用中,很容易遭受静电放电(ESD,electro-static discharge)的损伤。ESD通常电压可以达到几千伏特,电流可以达到几个安培。ESD测试模型通常分为三类,第一类是由于人与IC接触产生,通常对应该类型的ESD可以制作HBM(human body model)类型的ESD保护电路,HBM类型的ESD脉冲上升时间大约为10ns;第二类是由于机械设备与IC的接触而产生,通常对应该类型的ESD可以制作MM(machinemodel)类型的ESD保护电路;第三类是由于IC自身的带电而产生,其放电可以通过IC的单个引脚发生,这种类型的ESD可以制作CDM(charged-device-model)类型的ESD保护电路来进行放电保护,而CDM类型的ESD脉冲上升时间甚至小于1ns。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:半导体集成电路产品的输入、输出和电源焊盘在正常工作时的工作电压通常大于或等于0伏特,有相应静电保护电路保护焊盘。然而,对于一些特殊的应用,有的焊盘在正常工作时是负电压,此时没有相应的静电保护电路保护焊盘。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种静电保护电路,其能够在不影响内部电路工作的同时,有效实现内部电路的静电保护。

为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种静电保护电路,包括:

静电保护模块;输入输出端、电源端以及接地端;所述静电保护模块包括第一NMOS晶体管、第一电容及第一电阻,所述第一NMOS晶体管的源极和衬底均与所述输入输出端连接、漏极与所述接地端连接;所述第一电容的第一端与所述接地端连接、第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接;所述第一电阻的第一端与所述输入输出端连接、第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接。

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