[发明专利]一种绕线式电弧靶装置

说明书

一种绕线式电弧靶装置，包括装置本体、密封端盖和水冷端头；密封端盖设置在装置本体的两端；装置本体的一端穿过密封端盖与水冷端头连接，且水冷端头上设置动力组件；装置本体整体呈圆柱形；装置本体包括靶材层和磁钢组件；靶材层设置在磁钢组件的外周；靶材层两端与密封端盖密封设置，以在靶材层内部形成密封空间；磁钢组件包括连接件、磁钢和线圈；连接件呈筒状，连接件设置在靶材层的内周；线圈缠绕在磁钢的外周，线圈的外周压紧连接件的内周。本发明中，提高了靶材的利用率，为镀膜行业带来了直接经济利益，减少了浪费，降低了成本；本发明，提高靶材粒子的沉积速度，提高了镀膜时间，减短了镀膜生产周期，提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及电弧靶镀膜设备领域，尤其涉及一种绕线式电弧靶装置。

背景技术

玻璃行业中，为实现玻璃的各种特性，需在玻璃表面镀上特殊材料；自1970年，圆柱磁控溅射阴极获得工业应用。

如图1所示，现有技术方案中，磁钢组件直接设置在靶材内周，工作中，靶材粒子沉积速度慢，大能量靶材粒子二次溅射易造成污染，靶材利用率低，降低了工作效率，降低了产品质量，增加了生产成本。

因此，如何控制靶材粒子的运动空间而提高靶材利用率，是徐亚解决的问题。

发明内容

(一)发明目的

为解决背景技术中存在的技术问题，本发明提出一种绕线式电弧靶装置，提高了靶材的利用率，为镀膜行业带来了直接经济利益，减少了浪费，降低了成本；本发明，提高靶材粒子的沉积速度，提高了镀膜时间，减短了镀膜生产周期，提高了生产效率。

(二)技术方案

为解决上述问题，本发明提供了一种绕线式电弧靶装置，包括装置本体、密封端盖和水冷端头；

密封端盖设置在装置本体的两端；装置本体的一端穿过密封端盖与水冷端头连接，且水冷端头上设置动力组件；

装置本体整体呈圆柱形；装置本体包括靶材层和磁钢组件；靶材层设置在磁钢组件的外周；靶材层两端与密封端盖密封设置，以在靶材层内部形成密封空间；

磁钢组件包括连接件、磁钢和线圈；连接件呈筒状，连接件设置在靶材层的内周；

线圈缠绕在磁钢的外周，线圈的外周压紧连接件的内周。

优选的，装置本体的靶材层为阴极；装置本体位于真空环境内；真空环境内填充经过低压引弧系统电离后的氩气。

本发明工作过程中，弧离子镀时待镀产品连接地线(阳极)；靶材固定端为阴极；真空环境下，密封空间充一定量氩气，并采用低压引弧系统使氩气电离；Ar⁺离子在电场作用下加速飞向靶材层，并以高能量轰击靶材层表面，使靶材层发生溅射；由于线圈产生磁场；Ar⁺离子在飞向阴极靶的过程中，Ar⁺离子受电场和磁场的作用，以近似于摆线式轨迹在装置本体外周做圆周运动；其中，磁钢外围增加线圈，当调整线圈电流大小时，其所产生的磁场也随着变化，线圈产生的磁场叠加到原有磁场上，整个磁场系统就会随着线圈电流的变化而产生变化。使用者通过控制通过线圈的电流的大小，而进一步调节磁场强度，实现控制Ar⁺离子的运动轨迹并增加其能量；Ar⁺离子轰击范围减小，能量加强，使得靶材粒子运动速度更快，靶材利用率更高。同时，集中Ar⁺离子的轰击区域更加集中，且可以减少污染。

本发明中，提高了靶材的利用率，为镀膜行业带来了直接经济利益，减少了浪费，降低了成本；本发明，提高靶材粒子的沉积速度，提高了镀膜时间，减短了镀膜生产周期，提高了生产效率。

附图说明

图1为现有技术中磁钢和靶材连接结构示意图。