[发明专利]一种负性光刻胶显影液

说明书

本发明公开了一种负性光刻胶显影液，由有机碱、表面活性剂和水各原料比例混合而成，所述各原料重量比为：有机碱5～20％，表面活性剂1～15％，余量的水，所述有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四甲基铵碳酸(氢)盐中的任意一种或几种，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂，非离子型表面活性剂选用烷基酚聚氧乙烯醚，非离子型表面活性剂经过蓖麻油聚氧乙烯醚混合处理，处理方法为使用蓖麻油聚氧乙烯醚与非离子型表面活性剂一同送入配料釜中进行搅拌。本发明中，在制成显影液后，对显影液进行微米级别的过滤，过滤去除大量金属离子杂质，避免了金属离子杂质对基板密集线路以及晶体管的不利影响，保证了基板与晶体管的正常使用。

技术领域

本发明属于显影液制备技术领域，具体为一种负性光刻胶显影液。

背景技术

显影液是溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域的一种化学溶剂，对于负显影工艺，显影液通常是一种有机溶剂，如二甲苯；对于正显影工艺，显影液是一种用水稀释的强碱溶液，早期的是氢氧化钾与水的混合物。

随着显示技术日益进步，伴随着对分辨率及成像清晰度等要求的持续提高，特别是随着智能手机、平板电脑的普及，高分辨率高画质的显示要求快速增长，显示器件线宽要求越来越细，对电性能要求也越来越高。在工序阶段意味着更精细化的制作和像素单元线宽的减少。由于氢氧化钾含有大量的钾离子和钠离子，故该类显影液金属离子含量大且不易被清洗，进而残留在彩膜基板上形成杂质。残留金属离子杂质在更细线宽更密集线路的应用环境中，在较少的数量下就会形成导电短路，从而对TFT像素内的晶体管控制开关产生不利影响，因此我们提出一种负性光刻胶显影液。

发明内容

本发明的目的在于：为了解决现有显影液中钾钠离子容易残留，影响基板以及晶体管正常使用的问题，提供一种负性光刻胶显影液。

本发明采用的技术方案如下：

一种负性光刻胶显影液，由有机碱、表面活性剂和水各原料比例混合而成，所述各原料重量比为：有机碱5～20％，表面活性剂1～15％，余量的水。

其中，所述有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四甲基铵碳酸(氢)盐中的任意一种或几种。

其中，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂，非离子型表面活性剂选用烷基酚聚氧乙烯醚。

其中，所述的一种负性光刻胶显影液的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：将表面活性剂和有机碱分别加入配料釜中，进行搅拌，搅拌时长30～45min；

步骤2：将水匀速加入到步骤混合溶液中，并持续进行搅拌；

步骤3：搅拌完成后使用过滤器进行过滤，即得显影液。

其中，所述过滤器过滤孔径为0.02～0.1μm。

其中，所述过滤器过滤孔径为0.04μm。

其中，所述非离子型表面活性剂经过蓖麻油聚氧乙烯醚混合处理。

其中，所述非离子型表面活性剂与蓖麻油聚氧乙烯醚混合处理方法，包括如下步骤：取非离子型表面活性剂重量3倍的蓖麻油聚氧乙烯醚，与非离子型表面活性剂一同送入配料釜中，进行搅拌；

搅拌过程中间断加入适量水，保持混合液稀释；

静置3～4H后，滤出非离子型表面活性剂，并使用0.1％的双氧水处理；

然后加热非离子型表面活性剂去除双氧水即可。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：

1、本发明中，四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵或四甲基铵碳酸(氢)盐的混合制成的显影液，对光刻胶的渗透性好，显影速率增加，适应高分辨率高画质显示制程的要求。