[发明专利]芯片及静电放电保护电路

权利要求书

1.一种静电放电保护电路，用于具有第一信号线和第二信号线的芯片，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：

电压检测模块，连接于所述第一信号线和所述第二信号线之间，用于响应所述第一信号线到所述第二信号线的静电脉冲并输出控制信号；

反相电路，所述反相电路的输入端与所述电压检测模块连接，用于响应所述控制信号并输出触发电压；

第一开关单元，所述第一开关单元的控制端与所述反相电路的输出端连接，所述第一开关单元的第一端连接于所述第一信号线，所述第一开关单元的第二端连接于所述第二信号线，所述第一开关单元用于在所述触发电压为高电平时导通；

第二开关单元，所述第二开关单元的控制端与所述反相电路的输出端连接，所述第二开关单元的第一端连接于所述反相电路的输入端，所述第二开关单元的第二端连接于所述第二信号线，所述第二开关单元用于响应所述触发电压并加速所述触发电压由低电平到高电平的翻转。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路还包括：

第三开关单元，所述第三开关单元的控制端与所述反相电路的输出端连接，所述第三开关单元的第一端连接于所述反相电路的输入端，所述第三开关单元的第二端连接于所述第一信号线，所述第三开关单元用于响应所述触发电压并加速所述触发电压由高电平到低电平的翻转。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一开关单元为NMOS管，所述第二开关单元为NMOS管，所述第三开关单元为PMOS管。

4.根据权利要求3所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一开关单元为非对称NMOS管，且所述第一开关单元的漏极无轻掺杂漏区。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述芯片还具有第三信号线，所述静电放电保护电路还包括：

第一二极管，所述第一二极管的第一端连接于所述第三信号线，所述第一二极管的第二端连接于所述第一信号线。

6.根据权利要求5所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：

第二二极管，所述第二二极管的第一端连接于所述第二信号线，所述第二二极管的第二端连接于所述第三信号线。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述电压检测模块包括：

电阻器，所述电阻器的一端连接于所述第一信号线；

电容器，所述电容器的一端连接于所述电阻器的另一端，所述电容器的另一端连接于所述第二信号线。

8.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一信号线为VDD电源线，所述第二信号线为VSS电源线。

9.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述反相电路为一级反相器、三级反相器或五级反相器。

10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括权利要求1-9任一项所述的静电放电保护电路。