[发明专利]芯片及静电放电保护电路在审

专利信息
申请号: 201910780355.X 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN112421592A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 许杞安 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 芯片 静电 放电 保护 电路
【说明书】:

本公开提供一种芯片及静电放电保护电路。该静电放电保护电路包括用于响应静电脉冲并输出控制信号的电压检测电路、用于响应控制信号并输出触发电压的反相电路、用于在触发电压为高电平下导通的第一开关单元以及用于响应触发电压并加速触发电压由低电平到高电平的翻转的第二开关单元。本公开能够提高第一开关单元的导通速度,以使静电放电电流能够及时释放。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种芯片及一种静电放电保护电路。

背景技术

随着半导体制造业工艺的快速发展,静电放电(Electro Static Discharge,ESD)逐渐成为芯片故障的主要因素。

现有技术中,常常采用静电放电保护电路来降低静电放电对芯片的影响。该静电放电保护电路保护设于两个信号线之间的电压检测模块和第一开关单元。该电压检测模块能够响应一ESD信号并发出控制信号,该第一开关单元能够响应该控制信号并导通,使第一信号线和第二信号线导通,以释放静电放电电流。然而,该第一开关单元的导通速度慢,使静电放电电流不能及时释放。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种芯片及一种静电放电保护电路,能够提高第一开关单元的导通速度,以使静电放电电流能够及时释放。

根据本公开的一个方面,提供一种静电放电保护电路,用于具有第一信号线和第二信号线的芯片,所述静电放电保护电路包括:

电压检测模块,连接于所述第一信号线和所述第二信号线之间,用于响应所述第一信号线到所述第二信号线的静电脉冲并输出控制信号;

反相电路,所述反相电路的输入端与所述电压检测模块连接,用于响应所述控制信号并输出触发电压;

第一开关单元,所述第一开关单元的控制端与所述反相电路的输出端连接,所述第一开关单元的第一端连接于所述第一信号线,所述第一开关单元的第二端连接于所述第二信号线,所述第一开关单元用于在所述触发电压为高电平时导通;

第二开关单元,所述第二开关单元的控制端与所述反相电路的输出端连接,所述第二开关单元的第一端连接于所述反相电路的输入端,所述第二开关单元的第二端连接于所述第二信号线,所述第二开关单元用于响应所述触发电压并加速所述触发电压由低电平到高电平的翻转。

在本公开的一种示例性实施例中,所述静电放电保护电路还包括:

第三开关单元,所述第三开关单元的控制端与所述反相电路的输出端连接,所述第三开关单元的第一端连接于所述反相电路的输入端,所述第三开关单元的第二端连接于所述第一信号线,所述第三开关单元用于响应所述触发电压并加速所述触发电压由高电平到低电平的翻转。

在本公开的一种示例性实施例中,所述第一开关单元为NMOS管,所述第二开关单元为NMOS管,所述第三开关单元为PMOS管。

在本公开的一种示例性实施例中,所述第一开关单元为非对称NMOS管,且所述第一开关单元的漏极无轻掺杂漏区。

在本公开的一种示例性实施例中,所述芯片还具有第三信号线,所述静电放电保护电路还包括:

第一二极管,所述第一二极管的第一端连接于所述第三信号线,所述第一二极管的第二端连接于所述第一信号线。

在本公开的一种示例性实施例中,所述静电放电保护电路包括:

第二二极管,所述第二二极管的第一端连接于所述第二信号线,所述第二二极管的第二端连接于所述第三信号线。

在本公开的一种示例性实施例中,所述电压检测模块包括:

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