[发明专利]半导体衬垫及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体衬垫，其特征在于，包括：

有源层，设于一衬底上，所述有源层包括多个有源区和围绕各所述有源区的浅沟槽区；

第一介质层，设于所述有源层远离所述衬底的一侧上；

栅极层，设于所述第一介质层远离所述有源层的一侧上，所述栅极层包括栅极和填充介质，所述栅极在衬底上的正投影与所述有源区在衬底上的正投影无重叠部分。

2.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，各所述栅极连接在一起围合形成包括多个网格的网状结构，多个所述有源区在所述衬底上的正投影一一对应位于所述网格在所述衬底的正投影内。

3.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，各所述栅极条间隔分布，且相邻的至少三个所述栅极围合形成包括多个网格的网状结构，多个所述有源区在所述衬底上的正投影一一对应位于所述网格在所述衬底的正投影内。

4.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，多个所述有源区与多个栅极分别沿第一预设方向和第二预设方向阵列分布，且所述有源区与所述栅极在所述第一预设方向上平行设置，在所述第二预设方向上间隔设置。

5.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，所述浅沟槽区的宽度为0.5μm～3μm。

6.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，所述有源层与所述栅极层相邻的两个面之间的距离为0.2μm～1μm。

7.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，所述栅极的材料包括多晶硅、金属钨与氮化钛中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，所述填充介质的材料包括氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的半导体衬垫，其特征在于，所述半导体衬垫还包括：

第二介质层，设于所述栅极层远离所述第一介质层的一侧上；

第一金属层，设于所述第二介质层远离所述栅极层的一侧上；

层间介质层，设置于所述第一金属层远离所述第二介质层的一侧上；

第二金属层，设置于所述层间介质层远离所述第一金属层的一侧上。

11.根据权利要求10所述的半导体衬垫，其特征在于，所述第二介质层、所述第一金属层、所述层间介质层及所述第二金属层在所述衬底上的正投影均完全覆盖所述有源层、所述第一介质层与所述栅极层在所述衬底上的正投影。

12.根据权利要求10所述的半导体衬垫，其特征在于，所述第二介质层包括氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的至少一种。

13.根据权利要求10所述的半导体衬垫，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铝、铜与钨中的至少一种。

14.根据权利要求10所述的半导体衬垫，其特征在于，所述层间介质层的材料包括氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的至少一种。

15.根据权利要求10所述的半导体衬垫，其特征在于，所述第二金属层的材料包括铝、铜与钨中的至少一种。

16.一种半导体衬垫的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成有源层，所述有源层包括多个有源区和围绕各所述有源区的浅沟槽区；

在所述有源层远离所述衬底的一侧上形成第一介质层；

在所述第一介质层远离所述有源层的一侧上形成栅极层，所述栅极层包括栅极和填充介质，所述栅极在衬底上的正投影与所述有源区在衬底上的正投影无重叠部分。