[发明专利]半导体衬垫及其制造方法

说明书

本公开是关于一种半导体衬垫及其制造方法，该半导体衬垫包括有源层、第一介质层与栅极层，有源层设于一衬底上，所述有源层包括多个有源区和围绕各所述有源区的浅沟槽区；第一介质层设于所述有源层远离所述衬底的一侧上；栅极层设于所述第一介质层远离所述有源层的一侧上，所述栅极层包括栅极和填充介质，所述栅极在衬底上的正投影与所述有源区在衬底上的正投影无重叠部分。本公开提供的半导体衬垫，能够降低衬垫电容。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体衬垫及其制造方法。

背景技术

焊盘的传统衬垫结构具有虚拟的有源区和多晶硅栅极，这种衬垫结构有利于保持焊盘的机械强度和可靠性，此外，设置虚拟的有源区和多晶硅栅极也有利于平坦化工艺的一致性。这种衬垫结构的衬垫电容包括金属层电容、栅氧层电容和浅槽隔离电容，

然而，由于栅氧层电容与浅槽隔离电容较大而导致衬垫电容较大，进而导致焊盘的耦合电容较大。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种能够降低衬垫电容的半导体衬垫及其制造方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体衬垫，该半导体衬垫包括：

有源层，设于一衬底上，所述有源层包括多个有源区和围绕各所述有源区的浅沟槽区；

第一介质层，设于所述有源层远离所述衬底的一侧上；

栅极层，设于所述第一介质层远离所述有源层的一侧上，所述栅极层包括栅极和填充介质，所述栅极在衬底上的正投影与所述有源区在衬底上的正投影无重叠部分。

在本公开的一种示例性实施例中，各所述栅极连接在一起围合形成包括多个网格的网状结构，多个所述有源区在所述衬底上的正投影一一对应位于所述网格在所述衬底的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，各所述栅极条间隔分布，且相邻的至少三个所述栅极围合形成包括多个网格的网状结构，多个所述有源区在所述衬底上的正投影一一对应位于所述网格在所述衬底的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，多个所述有源区与多个栅极分别沿第一预设方向和第二预设方向阵列分布，且所述有源区与所述栅极在所述第一预设方向上平行设置，在所述第二预设方向上间隔设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述浅沟槽区的宽度为0.5μm～3μm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述有源层与所述栅极层相邻的两个面之间的距离为0.2μm～1μm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的至少一种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述栅极的材料包括多晶硅、金属钨与氮化钛中的至少一种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述填充介质的材料包括氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的至少一种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体衬垫还包括：

第二介质层，设于所述栅极层远离所述第一介质层的一侧上；

第一金属层，设于所述第二介质层远离所述栅极层的一侧上；

层间介质层，设置于所述第一金属层远离所述第二介质层的一侧上；

第二金属层，设置于所述层间介质层远离所述第一金属层的一侧上。