[发明专利]加工基板的方法

权利要求书

1.一种加工基板(W)的方法，其中，

所述基板(W)具有一个面(1)和与所述一个面(1)相反的面(6)，

所述基板(W)在所述一个面(1)上或者在与所述一个面(1)相反的所述面(6)上具有至少一个凹部(7)，并且

所述方法包括：

提供保护膜(4)；

将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上，使得所述保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面直接接触；

向所述保护膜(4)施加压力，使得所述保护膜(4)沿着所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入所述凹部(7)中；以及

对所述基板(W)的所述一个面(1)和/或所述基板(W)的与所述一个面(1)相反的所述面(6)进行加工。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，向所述保护膜(4)施加所述压力包括以下步骤或由以下步骤组成：在将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上期间和/或之后，向所述保护膜(4)施加真空。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基板(W)是在所述一个面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)的晶片。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述基板(W)的所述一个面(1)上形成至少一条分割线(11)，并且所述至少一个凹部(7)沿所述至少一条分割线(11)延伸。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，该方法还包括：在将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上期间和/或之后，对所述保护膜(4)进行加热。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，向所述保护膜(4)施加所述压力，使得所述保护膜(4)进入所述至少一个凹部(7)的深度为3μm至500μm，优选为5μm至300μm，尤其是5μm至50μm。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，该方法还包括：将所述基板(W)的所述一个面(1)上或所述基板(W)的与所述一个面(1)相反的所述面(6)上的基板材料去除，以便形成所述至少一个凹部(7)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，

所述方法包括：对所述基板(W)的与所述一个面(1)相反的所述面(6)进行加工，并且

对所述基板(W)的与所述一个面(1)相反的所述面(6)进行加工包括：对所述基板(W)的与所述一个面(1)相反的所述面(6)进行研磨以调整基板厚度。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，

所述保护膜(4)设置有粘合剂层(9)，

所述粘合剂层(9)仅设置在所述保护膜(4)的所述正表面(4a)的外周区域中，所述外周区域包围所述保护膜(4)的所述正表面(4a)的所述中央区域，并且

将所述保护膜(4)施加至所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面上，使得所述粘合剂层(9)仅与所述基板(W)的具有所述至少一个凹部(7)的面的外周部分相接触。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将缓冲层附着至所述保护膜(4)的与所述保护膜(4)的所述正表面(4a)相反的背表面(4b)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，将基片附着至所述缓冲层的背表面。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，该方法还包括：

将所述基板(W)分割成多个分离的元件(30)，以及

从所述保护膜(4)拾取所述分离的元件(30)。