[发明专利]加工基板的方法

说明书

本发明涉及加工基板(W)的方法。基板(W)具有一个面(1)和与该面(1)相反的面(6)。基板(W)在所述面(1)上或者在与该面(1)相反的面(6)上具有至少一个凹部(7)。该方法包括：提供保护膜(4)，并将保护膜(4)施加至基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面上，使得保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面直接接触。该方法还包括：向保护膜(4)施加压力，使得保护膜(4)沿所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入凹部(7)中；以及对基板(W)的所述面(1)和/或与该面(1)相反的面(6)进行加工。

技术领域

本发明涉及一种加工诸如晶片(例如半导体晶片)的基板的方法，在所述基板的一个面上具有至少一个凹部。

背景技术

在加工基板(举例来说，如半导体晶片)时，重要的是保护基板的面免受损坏和污染。在将器件(例如，半导体器件)形成在基板的面上时该要求尤其明显。

例如，在半导体器件制造工序中，对作为基板的具有一般由多条分割线划分的包括多个器件的器件区域的晶片进行加工，以便将其分割成单个晶粒(die)。该制造工序通常包括用于调整晶片厚度的研磨步骤和沿着分割线切割晶片以获得单个晶粒的切割步骤。该研磨步骤是从晶片的背面执行的，该背面与在上面形成器件区域的晶片正面相反。此外，在晶片的背面上还可以执行其它加工步骤，例如抛光和/或蚀刻。可以从晶片的正面或晶片的背面沿着分割线对晶片进行切割。

可以通过将保护膜或保护薄片附着至基板面来提供对该基板面的保护。尤其是，为了在晶片加工期间保护形成在晶片上的器件例如不被碎屑、研磨水或切割水破坏、变形和/或污染，在加工之前，可以将这种保护膜或保护薄片施加至晶片的正面。

如果基板的面上存在凹部(例如沟槽、凹槽、切口等)，则对该面的这种保护尤其重要。首先，这种凹部易于受例如可能积累在其中的碎屑或水的污染。其次，凹部的存在可能导致加工(例如研磨、抛光或切割)期间压力的不均匀分布，因此增加了对基板造成机械损坏的风险，例如基板断裂。

因此，当对其面上具有一个或更多个凹部的基板进行加工时，使用保护膜或保护薄片是特别重要的。

然而，保护膜或保护薄片所附着至的基板面可能被形成在该保护膜或保护薄片上的粘合剂层的粘合力损坏，或者在将所述膜或薄片从基板剥离时可能被粘合剂残留物污染。尤其是，这样的残留物可能残留在形成在基板面上的凹部中。如果将敏感器件(举例来说，如MEMS)形成在施加有保护膜或保护薄片的基板面上，那么该问题尤其成问题。在这种情况下，器件结构可能严重受损。

因此，仍然需要一种对其一面上具有凹部的基板进行加工的可靠且有效的方法，该方法使得能够最小化对基板造成污染和损坏的任何风险。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种对其一面上具有凹部的基板进行加工的可靠且有效的方法，该方法使得能够最小化对基板造成污染和损坏的任何风险。该目标通过具有权利要求1的技术特征的基板加工方法来实现。本发明的优选实施方式根据从属权利要求得出。

本发明提供了一种加工基板的方法。该基板具有一个面(例如，正面)和与所述一个面相反的一面(例如，背面)。该基板在所述一个面上或者在与所述一个面相反的面上具有至少一个凹部。所述方法包括：提供保护膜或保护薄片，并将该保护膜或保护薄片施加至该基板的具有至少一个凹部的面上，使得保护膜或保护薄片的正表面的至少中央区域与该基板的具有所述至少一个凹部的面直接接触。此外，所述方法还包括：向保护膜或保护薄片施加压力，使得该保护膜或保护薄片沿着所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入该凹部中，并且对该基板的所述一个面和/或该基板的与所述一个面相反的面进行加工。

将保护膜施加至基板的具有至少一个凹部的面上，使得该保护膜或保护薄片的正表面的至少中央区域与该基板的具有所述至少一个凹部的面直接接触。因此，在该保护膜的正表面的至少中央区域与该基板的具有所述至少一个凹部的面之间不存在材料，尤其是不存在粘合剂。