[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，具备：

真空容器，在该真空容器的内部形成真空气氛；

载置部，其用于在所述真空容器内载置基板，并且对该基板进行加热；

喷淋头，其具备与所述载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，所述喷淋头从所述多个气体喷出口向被进行了加热的所述基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；

清洗气体供给部，在向多个所述基板分别供给所述成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于所述真空容器时，所述清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及

无孔质的覆盖膜，其至少在所述相向部覆盖构成所述喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各所述基板供给所述成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和，

其中，所述载置部构成为在加热所述基板时照射红外线，

当将所述覆盖膜的针对3μm～7μm的范围内的任意波长的红外线的反射率设为第一反射率、将暴露于所述清洗气体中的所述基材针对所述任意波长的红外线的反射率设为第二反射率时，

第一反射率/第二反射率＝0.8～1.2。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

所述基材由含有铝的金属构成，所述覆盖膜为耐酸铝膜。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，

所述基材为日本工业标准也即JIS标准的A5052。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜装置，其中，

在被供给所述成膜气体时，所述基板被加热至400℃以上。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜装置，其中，

所述清洗气体为三氟化氯气体。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜装置，其中，

波长为3μm～7μm的红外线在所述覆盖膜的反射率为80％～92％。

7.一种成膜方法，包括以下工序：

在真空容器的内部形成真空气氛；

将基板载置于所述真空容器内的载置部，并对该基板进行加热；

从喷淋头的多个气体喷出口向被进行了加热的所述基板供给成膜气体，来对所述基板进行成膜，其中，所述喷淋头具备与所述载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的所述多个气体喷出口；以及

在向多个所述基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于所述真空容器时，从清洗气体供给部供给清洗气体来对该真空容器内进行清洗，

其中，设置有无孔质的覆盖膜，所述无孔质的覆盖膜至少在所述相向部覆盖构成所述喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各所述基板供给所述成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和，以及

其中，所述载置部构成为在加热所述基板时照射红外线，

当将所述覆盖膜的针对3μm～7μm的范围内的任意波长的红外线的反射率设为第一反射率、将暴露于所述清洗气体中的所述基材针对所述任意波长的红外线的反射率设为第二反射率时，

第一反射率/第二反射率＝0.8～1.2。