[发明专利]成膜装置和成膜方法

说明书

本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，该喷淋头用于从多个气体喷出口向基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个基板分别供给成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于真空容器时，该清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在相向部覆盖构成喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各基板供给成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。

技术领域

本公开涉及一种成膜装置和成膜方法。

背景技术

有时对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行作为气体处理的例如基于ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)的成膜。在这样的气体处理中，例如将气体呈喷淋状地向晶圆供给。专利文献1中记载了采用由金属醇盐形成的成膜原料来对晶圆进行成膜的成膜装置。该成膜装置具备由金属形成的处理容器。该处理容器的内壁面被无孔质阳极氧化皮膜覆盖，以防止金属成分被上述的金属醇盐溶出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-128370号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在对多个基板进行成膜处理时抑制基板间的膜厚的变动的技术。

用于解决问题的方案

本公开的成膜装置具备：真空容器，在该真空容器的内部形成真空气氛；载置部，其用于在所述真空容器内载置基板，并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与所述载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出口，所述喷淋头用于从所述气体喷出口向被进行了加热的所述基板供给成膜气体来对该基板进行成膜；清洗气体供给部，在向多个所述基板分别供给所述成膜气体的间歇，在该基板没有被收纳于所述真空容器时，所述清洗气体供给部供给用于对该真空容器内进行清洗的清洗气体；以及无孔质的覆盖膜，其至少在所述相向部覆盖构成所述喷淋头的基材来形成该喷淋头的表面，以使向各所述基板供给所述成膜气体时的所述喷淋头处的热的反射率的变动缓和。

发明的效果

根据本公开，能够在对多个基板进行成膜处理时抑制基板间的膜厚的变动。

附图说明

图1是作为本公开的一个实施方式的成膜装置的纵截面图。

图2是构成所述成膜装置的喷淋头的纵截面图。

图3是用于说明由所述成膜装置进行的处理的示意图。

图4是用于说明由所述成膜装置进行的处理的示意图。

图5是用于说明由所述成膜装置进行的处理的示意图。

图6是用于说明由所述成膜装置进行的处理的示意图。

图7是用于说明由所述成膜装置进行的处理的示意图。

图8是示出喷淋头的其它结构例的纵截面图。

图9是示出评价试验的结果的曲线图。

图10是示出评价试验的结果的曲线图。

图11是示出评价试验的结果的曲线图。