[发明专利]一种精密线路COF基板金凸块的制造方法在审
申请号: | 201910784098.7 | 申请日: | 2019-08-23 |
公开(公告)号: | CN110517965A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 戚爱康;孟庆园;计晓东;孙彬;沈洪;李晓华 | 申请(专利权)人: | 江苏上达电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 32220 徐州市三联专利事务所 | 代理人: | 张帅<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凸块 蚀刻 光刻胶工序 突起部 镍膜 显影 光刻胶图案 无电解电镀 电镀处理 高度偏差 绝缘基板 生产效率 曝光 传统的 电镀金 光刻胶 胶工序 金凸块 电镀 保留 次光 干膜 镍金 精密 开口 图案 覆盖 制造 | ||
1.一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于,包括:
第一次光刻胶工序,在绝缘基板(1)的铜箔(11)上涂光刻胶(21),利用菲林底片对涂布了光刻胶(21)的绝缘基板(1)进行曝光,显影将需要的光刻胶图案(22)保留;
第一蚀刻工序,用保留的光刻胶图案(22)做为抗蚀层,对绝缘基板(1)进行湿法全蚀刻,得到凸块本体部(31),用去膜溶剂去除去凸块本体部(31)上的光刻胶图案(22),得到完全裸漏的凸块本体部(31);
第二光刻胶工序,在第一蚀刻工序后得到的凸块本体部(31)的绝缘基板(1)上,压一层干膜Ⅰ(23),利用菲林底片对涂布了干膜Ⅰ(23)后的绝缘基板(1)进行曝光,显影将所需的干膜图案Ⅰ(24)保留;
第二蚀刻工序,用保留下来的干膜图案Ⅰ(24)做为抗蚀层,对绝缘基板(1)进行湿法半蚀刻,得到凸块突起部(32),接着用去膜溶剂去除干膜图案Ⅰ(24)得到完全裸漏的凸块本体部(31)和凸块突起部(32);
第三光刻胶工序,在第二蚀刻工序后得到的凸块本体部(31)的绝缘基板(1)上,压一层干膜Ⅱ(25),利用菲林底片对涂布干膜Ⅱ(25)的绝缘基板(1)进行曝光,显影,露出开口(41)同时将需要的干膜图案Ⅱ(26)保留;
电镀工序,通过将干膜图案Ⅱ(26)用作掩模进行无电解电镀镍金,将凸块突起部(32)的表面用镍膜(42)覆盖,在镍膜(42)的表面电镀金,接着用去膜溶剂去除去干膜图案Ⅱ(26),得到完全裸漏的凸块(3)。
2.根据权利要求1所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的绝缘基板(1)由具有电绝缘性的绝缘基材(10)和铜箔(11)构成,绝缘基板(1)采用单面敷铜或双面敷铜。
3.根据权利要求2所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的铜箔(11)厚度为8um-16um,绝缘基材(10)为聚酰亚胺,厚度为 12.5-125um 的柔性绝缘基材。
4.根据权利要求1所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的第一次光刻胶工序中,光刻胶(21)使用正性或负性的任意一种,涂布前对绝缘基板(1)的铜箔(11)进行微蚀刻。
5.根据权利要求1所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的第二光刻胶工序中,通过真空压模机进行压膜。
6.根据权利要求1所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的第二蚀刻工序中,对绝缘基板(1)进行湿法半蚀刻时,使用添加蚀刻抑制剂的蚀刻液,采用喷淋方式对绝缘基板(1)上的凸块本体部(32)垂直喷射。
7.根据权利要求6所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的蚀刻液使用氯化亚铁溶液或氯化铜溶液。
8.根据权利要求6所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的蚀刻抑制剂采用胺类、醚类、乙醇类和asol 类化合物。
9.根据权利要求1所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的电镀工序中,镍膜 (42)的厚度尺寸为 2-10um。
10.根据权利要求1所述的一种精密线路COF基板金凸块的制造方法,其特征在于:所述的电镀工序中,镍膜(42)的成分主要是镍,并含有磷,电镀金层小于0.3um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造