[发明专利]一种精密线路COF基板金凸块的制造方法

说明书

本发明涉及一种精密线路COF基板金凸块的制造方法，属于COF基板技术领域。包括，第一次光刻胶工序，在绝缘基板涂光刻胶，曝光，将需要的光刻胶图案保留；第一蚀刻工序，得到完全裸漏的凸块本体部；第二光刻胶工序，显影将所需的干膜图案保留；第二蚀刻工序，得到完全裸漏的凸块本体部和凸块突起部；第三光刻胶工序，曝光，显影，露出开口；电镀工序，进行无电解电镀镍金，将凸块突起部的表面用镍膜覆盖，在镍膜的表面电镀金，得到完全裸漏的凸块。与传统的电镀处理形成的凸块相比，能够降低凸块的高度偏差，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及一种精密线路COF基板金凸块的制造方法，属于COF基板技术领域。

背景技术

随着科学技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高 可靠性方向发展。封装基板由FPC像COF过渡，COF基板的PTCH值越来越小，供封装中的引脚也越来越，密集和精密，而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。为了实现内部器件与外部器件之间的连接，凸块通常形成在半导体芯片周围的外部端子或有源区的预定区域阵列中形成的外部端子上。凸块材料一般为焊料如金(Au)、锡银合金(Sn-Ag)或类似的金属材料组成。金凸块的重要特性指标就是硬度，平整度，和微小化。

现有的技术都是在将绝缘基板上的配线用光刻胶层覆盖之后，通过对该光刻胶层实施曝光、显影处理，在凸块的形成预定位置上形成具有开口部的光刻胶图案。此时，光刻胶的开口有部分铜露出的。接着，在上述开口部中露出的铜面上，通过电解电镀将金属铜进行沉积，形成铜凸块。接着，从绝缘基板中除去电解电镀使用的光刻胶图案。

绝缘基板上的线路及凸块表面用保护用的电镀镍金覆盖。通过电解电镀在布线上形成凸块。块的高度变高的情况下，会产生以下的问题。在电解电镀上，凸块的增长速度出现了局部差异。因此，电镀金后获得的凸块高度容易产生误差。尤其是，随着凸块的高度越高，因电镀的增长速度差引起致的凸块的高度差也会越大。要想提高凸块的高度，就必须要加大电镀金属的重量。因此，电镀处理时间将变长，生产效率也会下降。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足之处，本发明提供一种精密线路COF基板金凸块的制造方法，保证凸块高度平整化，降低凸块的高度的偏差，从而提高生产效率；可以提高凸块的硬度，还可以使凸块的直径微小化，适用于更精密的线路COF封装。

本发明是通过如下技术方案实现的：一种精密线路COF基板金凸块的制造方法，其特征在于，包括：

第一次光刻胶工序，在绝缘基板的铜箔上涂光刻胶，利用菲林底片对涂布了光刻胶的绝缘基板进行曝光，显影将需要的光刻胶图案保留；

第一蚀刻工序，用保留的光刻胶图案做为抗蚀层，对绝缘基板进行湿法全蚀刻，得到凸块本体部，用去膜溶剂去除去凸块本体部上的光刻胶图案，得到完全裸漏的凸块本体部；

第二光刻胶工序，在第一蚀刻工序后得到的凸块本体部的绝缘基板上，压一层干膜Ⅰ，利用菲林底片对涂布了干膜Ⅰ后的绝缘基板进行曝光，显影将所需的干膜图案Ⅰ保留；

第二蚀刻工序，用保留下来的干膜图案Ⅰ做为抗蚀层，对绝缘基板进行湿法半蚀刻，得到凸块突起部，接着用去膜溶剂去除干膜图案Ⅰ得到完全裸漏的凸块本体部和凸块突起部；

第三光刻胶工序，在第二蚀刻工序后得到的凸块本体部的绝缘基板上，压一层干膜Ⅱ，利用菲林底片对涂布干膜Ⅱ的绝缘基板进行曝光，显影，露出开口同时将需要的干膜图案Ⅱ保留；

电镀工序，通过将干膜图案Ⅱ用作掩模进行无电解电镀镍金，将凸块突起部的表面用镍膜覆盖，在镍膜的表面电镀金，接着用去膜溶剂去除去干膜图案Ⅱ，得到完全裸漏的凸块。