[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：

在一基底上方形成多个栅极结构；

在所述多个栅极结构的两侧形成一第一间隙壁；

在两相邻的该第一间隙壁之间填充一介电层；

在所述多个栅极结构上方形成一金属硅化物层；

在该金属硅化物层、该第一间隙壁和该介电层上方顺应性形成一间隙壁材料层；以及

对该间隙壁材料层进行一回刻蚀，以在该金属硅化物层的两侧形成一第二间隙壁。

2.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，形成该金属硅化物层的步骤包括：

在所述多个栅极结构、该第一间隙壁和该介电层上方形成一金属层；以及

对该金属层进行一退火工艺，使该金属层与所述多个栅极结构反应以形成该金属硅化物层。

3.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，在形成该金属硅化物层之后以及在该回刻蚀之前，该金属硅化物层具有一残留物在该第一间隙壁和该介电层上。

4.如权利要求3所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该回刻蚀包括一第一刻蚀工艺和一第二刻蚀工艺，该第一刻蚀工艺移除该间隙壁材料层的水平部分以形成该第二间隙壁，该第二刻蚀工艺移除该金属硅化物层的该残留物。

5.如权利要求4所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第一刻蚀工艺使用包括CF₄或CHF₃的刻蚀剂，且该第二刻蚀工艺使用包括HBr或Cl₂的刻蚀剂。

6.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该回刻蚀为一干法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，进行一原子层沉积工艺形成该间隙壁材料层，且该原子层沉积工艺的工艺温度约550℃。

8.一种存储器装置，其特征在于，包括：

多个栅极结构，设置于一基底上方；

一第一间隙壁，设置于所述多个栅极结构的两侧；

一介电层，设置于两相邻的该第一间隙壁之间；

一金属硅化物层，设置于所述多个栅极结构上方；以及

一第二间隙壁，设置于该金属硅化物层的两侧及该介电层的顶表面上方。

9.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第二间隙壁直接接触该金属硅化物层。

10.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第二间隙壁的顶部高于该金属硅化物层的顶部。

11.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第二间隙壁的底表面与该金属硅化物层的底表面齐平。

12.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，所述多个栅极结构包括：

一第一栅极电极；

一栅极介电层，设置于该第一栅极电极上方；以及

一第二栅极电极，设置于该栅极介电层上方。

13.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第二间隙壁包括氮化硅。