[发明专利]存储器装置及其制造方法

说明书

本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构，在栅极结构的两侧形成第一间隙壁，在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层，在栅极结构上方形成金属硅化物层，在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层，以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层，接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物，以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁，可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题，进而改善存储器装置的良品率。

技术领域

本发明实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于存储器装置及其制造方法。

背景技术

快闪存储器(flash memory)为有着高容量、高读取/写入速度、低功耗以及低成本的非挥发性存储器。由于快闪存储器具有非挥发性的特性，因此在关闭快闪存储器之后，资料仍能够储存于快闪存储器中。因此，许多现代电子装置广泛地使用快闪存储器。

随着半导体装置尺寸的微缩，制造存储器装置的难度也大幅提升，存储器装置的工艺期间可能产生不想要的缺陷，这些缺陷可能会造成存储器装置的效能降低或损坏。因此，必须持续改善存储器装置，以提升良品率。

发明内容

在一实施例中，提供存储器装置的制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构；在栅极结构的两侧形成第一间隙壁；在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层；在栅极结构上方形成金属硅化物层；在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层；以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。

在其他实施例中，提供存储器装置，存储器装置包含多个栅极结构，设置于基底上方；第一间隙壁，设置于栅极结构的两侧；介电层，设置于两相邻的第一间隙壁之间；金属硅化物层，设置于栅极结构上方；以及第二间隙壁，设置于金属硅化物层的两侧。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式可以更加理解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件(feature)并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A-1H显示依据本发明的一实施例的存储器装置的制造方法在各阶段的剖面示意图。

附图标记：

100 存储器装置

101 基底

102、104、108、112 介电层

103 第一栅极电极材料层

104a、106、204a 开口

105 第二栅极电极材料层

107 间隙壁

109 金属层

110 金属硅化物层

110a 残留物

111 间隙壁材料层

111a 间隙壁

203 第一栅极电极

204、204’ 栅极介电层

205 第二栅极电极

H₁、H₂ 高度

具体实施方式