[发明专利]一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法

权利要求书

1.一种用于感测多个存储器段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一段包括至少二个存储器单元，每一单元的所述逻辑状态与和所述单元相关联的参数的值相关，所述方法包括：

量测所述多个储存器段以确定所述多个储存器段相应的多个目标参考参数值，每一目标参考参数值用于所述多个存储器段中的相应者，所述多个目标参考参数值中的至少两个是彼此不同的；

依据所述多个储存器段产生多个参考参数，每一参考参数与所述多个存储器段中的所述相应者相关联并且具有用于所述多个存储器段的所述相应者的所述目标参考参数值，包括：

产生第一参考参数；和

修整所述第一参考参数以获得所述多个参考参数，包括：

修整所述第一参考参数以获得所述多个参考参数的第一子集；和

利用固定偏移修整来修整所述参考参数的所述第一子集以获得所述参考参数的第二子集；

将与来自所述存储器段中的每一个的至少二个存储器单元相关联所述参数的所述值与所述存储器段的所述参考参数值进行比较；和

基于所述比较，确定所述多个存储器段中的所述存储器单元的所述逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中修整所述第一参考参数包括使用多个修整电路，使用每一修整电路修整所述第一参考参数以获得所述多个参考参数中的相应者。

3.根据权利要求1所述的方法，其中修整所述第一参考参数包括使用修整电路修整所述第一参考参数以获得所述多个参考参数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考参数中的每一个是参考电流，且其中与每一存储器单元相关联的所述参数是穿过所述存储器单元的电流。

5.根据权利要求1所述的方法，其中量测所述多个储存器段以确定所述多个储存器段相应的所述多个目标参考参数值包括对于所述多个段中的每一个：

获得与所述存储器段中的至少二个存储器单元相关联的所述参数的值，其中将所述至少二个存储器单元设置于所述逻辑状态中的每一个中；和

将与处于第一逻辑状态的至少二个存储器单元相关联的所述参数的所述值和与处于第二逻辑状态的至少二个存储器单元相关联的所述参数的所述值之间的值设置为所述目标参考参数值。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器段包括磁存储器芯片中的多个虚拟存储器段。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述产生所述多个参考参数包括产生所述多个参考参数的第一子集，所述多个参考参数的所述第一子集包含所述多个所述参考参数中的两个或更多个，并且将所述固定偏移修整提供到所述多个参考参数的所述第一子集以产生所述多个参考参数的第二子集。

8.一种存储器装置，其包括：

第一多个存储器单元；

第二多个存储器单元，

所述第一和第二多个存储器单元中的每一个可在两个状态之间切换并且具有与所述单元相关联的参数，所述参数具有相应地对应于所述两个状态的两个值，其中所述两个值具有其之间的一设定中点值；

参考参数产生器，用以量测所述第一多个存储器单元与所述第二多个存储器单元的所述设定中点值，其依据所述设定中点值被配置成将第一参考参数供应到所述多个第一存储器单元并且将第二参考参数供应到所述第二多个存储器单元，所述第一和第二参考参数具有不同值；和

比较器，其被配置成将与所述多个第一存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第一参考参数进行比较，并且将与所述第二多个存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第二参考参数进行比较，

其中所述存储器装置另外包括：

第三多个存储器单元；

第四多个存储器单元；和

偏移电路，其被配置成将第三参考参数提供到所述第三多个存储器单元，并且将第四参考参数提供到所述第四多个存储器单元，所述第三参考参数的值与所述第一参考参数的值之间具有一偏移量，所述第四参考参数的值与所述第二参考参数的值之间具有所述偏移量。