[发明专利]一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法

说明书

本发明实施例涉及一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法。用于感测存储器装置中的多个段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一单元具有高电阻状态和低电阻状态，从而产生针对不同电阻状态的不同单元电流电平。所述方法包含确定相应段的目标参考电流电平，所述目标参考电流电平中的至少两个彼此不同；用每一段的所述目标参考电流电平产生所述段的参考电流；将每一单元的所述单元电流电平与所述单元所处的所述段的所述参考电流电平进行比较；和基于所述比较，确定所述存储器单元的所述逻辑状态。

技术领域

本发明实施例涉及一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法。

背景技术

本揭露大体上涉及确定存储于磁存储器装置中的逻辑状态，且更具体来说，涉及设置一参考参数，将对应于存储器装置中的逻辑状态的参数与所述参考参数进行比较以确定逻辑状态。

特定类型的存储器装置((例如磁阻随机存取存储器(“MRAM”))取决于例如铁磁性材料的两个或更多个磁性材料层之间的磁化对准状态而具有两个或更多个电阻状态。可将存储器单元的电阻与参考电阻进行比较以确定存储器单元的电阻状态。随着存储器单元的密度增加，对于恰当设置相对于存储器单元的电阻值的参考电阻值的要求变得越来越迫切。

发明内容

本发明的一实施例揭露一种用于感测多个存储器段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一段包括至少一个存储器单元，每一单元的所述逻辑状态与和所述单元相关联的参数的值相关，所述方法包括：确定多个目标参考参数值，每一目标参考参数值用于所述多个存储器段中的相应者，所述多个目标参考参数值中的至少两个是彼此不同的；产生多个参考参数，每一参考参数与所述存储器段中的相应者相关联并且具有用于所述存储器段的所述目标参考参数值；将与来自所述存储器段中的每一个的至少一个存储器单元相关联所述参数的所述值与所述存储器段的所述参考参数值进行比较；和基于所述比较，确定所述多个存储器段中的所述存储器单元的所述逻辑状态。

本发明的另一实施例揭露一种存储器装置，其包括第一多个存储器单元；第二多个存储器单元，所述第一和第二多个存储器单元中的每一个可在两个状态之间切换并且具有与所述单元相关联的参数，所述参数具有相应地对应于所述两个状态的两个值；参考参数产生器，其被配置成将第一参考参数供应到所述多个第一存储器单元并且将第二参考参数供应到所述第二多个存储器单元，所述第一和第二参考参数具有不同值；和比较器，其被配置成将与所述多个第一存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第一参考参数进行比较，并且将与所述第二多个存储器单元中的每一个相关联的所述参数与所述第二参考参数进行比较。

本发明的又一实施例揭露一种磁阻随机存取存储器MRAM装置，其包括第一多个MRAM单元；第二多个MRAM单元，所述MRAM单元中的每一个具有高电阻状态和低电阻状态；电压供应线，其适于将电压应用于所述MRAM单元中的每一个以致使电流流过所述MRAM单元；参考电流产生器，其被配置成提供第一参考电流和第二参考电流，所述第一和第二参考电流具有不同量值；和比较器，其被配置成将流过所述多个第一MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第一参考电流进行比较，并且将流过所述第二多个MRAM单元中的每一个的所述电流与所述第二参考电流进行比较，并且输出指示所述MRAM单元的所述电阻状态的信号。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1A示出根据一些实施例的存储器阵列和用于存储器阵列的参考修整电路的示意图。

图1B示出根据一些实施例的对应于图1A中示出的存储器阵列的两个不同的虚拟段的高电阻状态和低状态的信号以及为所述虚拟段提供的相应参考信号的分布的草图。

图2示意性地示出根据一些实施例的为相应阵列提供的多个存储器阵列和参考修整。