[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的外围电路区域，其特征在于，所述阵列基板包括基板，以及位于所述基板同一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述外围电路区域，所述第二薄膜晶体管位于所述显示区域；

所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和低温多晶硅半导体层，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第一栅极所在膜层位于所述低温多晶硅半导体层所在膜层远离所述基板的一侧；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和金属氧化物半导体层，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第二栅极所在膜层位于所述金属氧化物半导体层所在膜层靠近所述基板的一侧；

所述第一栅极与所述第二栅极同层设置；

沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第二源极所在膜层位于所述第一源极所在膜层靠近所述基板的一侧，所述第一源极所在膜层与所述第二源极所在膜层之间形成有第一绝缘层；或者，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第二源极所在膜层位于所述第一源极所在膜层远离所述基板的一侧，所述第一源极所在膜层与所述第二源极所在膜层之间形成有第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦化层，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述平坦化层位于所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管远离所述基板一侧；

当所述第二源极所在膜层位于所述第一源极所在膜层靠近所述基板的一侧时，所述平坦化层与所述第一源极以及所述第一漏极直接接触；

当所述第二源极所在膜层位于所述第一源极所在膜层远离所述基板的一侧时，所述平坦化层与所述第二源极以及所述第二漏极直接接触。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述刻蚀阻挡层位于所述金属氧化物半导体层远离所述基板一侧；

所述刻蚀阻挡层覆盖所述金属氧化物半导体层；或者，所述刻蚀阻挡层在所述基板的垂直投影位于所述金属氧化物半导体层在所述基板的垂直投影内。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述显示区域的第一电极，所述第一电极与所述第二源极或者所述第二漏极电连接；沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第一电极位于所述第二薄膜晶体管远离所述基板一侧；

所述第一电极包括相互接触电连接的第一透明电极层和反射金属层，所述第一透明电极层位于所述反射金属层与所述第二薄膜晶体管之间。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述显示区域的第二电极和第三电极，所述第二电极和所述第三电极为透明电极；所述第二电极与所述第二源极或者所述第二漏极电连接，所述第二源极、所述第二漏极以及所述第二电极同层设置；

所述第二电极位于所述第三电极与所述基板之间。

6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。